- 1. أشباه الموصلات هي مواد تتميز بخصائص توصيل كهربائي تقع بين موصل وعازل. وقد أحدثت ثورة في مجال التكنولوجيا من خلال تمكين تطوير الأجهزة الإلكترونية مثل الترانزستورات والصمامات الثنائية والدوائر المتكاملة. هذه المكونات هي أساس الإلكترونيات الحديثة وتستخدم في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف الذكية والأجهزة الطبية. تعمل أشباه الموصلات عن طريق التحكم في تدفق التيار الكهربائي، مما يسمح بالتحكم الدقيق في الإشارات والبيانات. وقد جعلت خصائصها الفريدة منها مكونًا أساسيًا في تطوير الاتصالات والحوسبة ومجالات أخرى مختلفة من العلوم والتكنولوجيا. أي من المواد التالية هي مادة شائعة الاستخدام في صناعة أشباه الموصلات؟
A) السيليكون
B) الألومنيوم
C) الصلب
D) النحاس
- 2. تُستخدم أشباه الموصلات غالبًا في إنتاج:
A) قطع غيار السيارات
B) الملابس
C) الأجهزة الإلكترونية
D) مواد السباكة
- 3. ما هي الخاصية من خصائص أشباه الموصلات التي يمكن تعديلها عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي؟
A) اللون
B) التوصيل الحراري
C) التوصيل الكهربائي
D) نقطة الانصهار
- 4. ما هي العملية التي تعدل قدرة التوصيل للمادة شبه الموصلة عن طريق إضافة شوائب؟
A) الاندماج
B) التسامي
C) الأيونية
D) التطعيم (أو الترقق)
- 5. ما هي العناصر المستخدمة بشكل شائع في عملية إضافة الشوائب من النوع السالب (n-type) في أشباه الموصلات؟
A) الزرنيخ، الفوسفور، أو الأرسينيك.
B) البرون، الجاليوم، أو الإنديوم.
C) السيليكون، الجرمانيوم، أو القصدير.
D) الكربون، النيتروجين، أو الأكسجين.
- 6. ما هو أشباه الموصلات الأكثر شيوعًا بعد السيليكون؟
A) مركب الألومنيوم والزرنيخ (جاليوم أرسنيد)
B) كربيد السيليكون
C) الجرمانيوم
D) مركب الإنديوم والفوسفور (إنديوم فوسفيد)
- 7. ما هو نوع المادة التي تُستخدم غالبًا في الكابلات ذات السعة العالية والتي تعمل بجهد متوسط إلى مرتفع، كجزء من عزلها؟
A) مطاط السيليكون
B) بلاستيك XLPE مع الكربون الأسود
C) ألياف زجاجية
D) سلك نحاسي
- 8. ما هو المصطلح المستخدم للإشارة إلى أشباه الموصلات التي تم تعديلها عن طريق التخفيف؟
A) أشباه الموصلات المخففة أو الخارجية.
B) أشباه الموصلات الطبيعية.
C) أشباه الموصلات الأصلية.
D) أشباه الموصلات النقية.
- 9. ما هو الجهاز الذي يمثل أول تطبيق عملي لأشباه الموصلات في مجال الإلكترونيات؟
A) جهاز كاشف الشعيرات
B) اللمبة المفرغة
C) الترانزستور
D) الدائرة المتكاملة
- 10. ما هي العناصر المستخدمة في عملية التشكيل من النوع p؟
A) كربون، نيتروجين، أكسجين
B) فوسفور، زرنيخ، أنتيمون
C) سيليكون، جرمانيوم، قصدير
D) بورون، غاليوم، إنديوم
- 11. ما هي الطريقة الأكثر استخدامًا لإنتاج قضبان بلورية مفردة من أشباه الموصلات؟
A) ترسيب الحزمة الجزيئية
B) طريقة تسوكرالسكي
C) ترسيب الطور الغازي
D) عملية تنقية المنطقة
- 12. ما هي العملية التي تستخدم فيها الأشعة فوق البنفسجية لإنشاء أنماط على مادة أشباه الموصلات؟
A) الأكسدة الحرارية
B) الانتشار
C) التصوير الضوئي
D) الحفر
- 13. ما هو نوع الغاز المستخدم بشكل شائع في عملية النقش بالبلازما؟
A) الأكسجين
B) الآرغون
C) النيتروجين
D) مركبات الكلور والفلور (فريون)
- 14. وفقًا لمبدأ باولي للاستبعاد، كم عدد الإلكترونات التي يمكن أن تشغل حالة كمية؟
A) إلكترون واحد لكل حالة كمية.
B) صفر أو إلكترونان.
C) عدد غير محدود من الإلكترونات.
D) إلكترونان لهما دوران معاكس.
- 15. ماذا يحدث للإلكترونات في نطاق التوصيل لأشباه الموصلات نتيجة لعملية إعادة التركيب الحرارية الطبيعية؟
A) إنها لا تبقى لفترة غير محدودة.
B) إنها تصبح ثابتة.
C) إنها تشكل روابط تساهمية.
D) إنها تزداد في العدد.
- 16. ما هو النموذج الذي يمكن استخدامه للتفكير في عملية التوصيل في أشباه الموصلات؟
A) نموذج دروده
B) نموذج شرودنجر
C) نموذج بور
D) نموذج هايزنبرغ
- 17. من قام بتطوير مضخمات ذات مقاومة سالبة ومكونة من طرفين واحدين للاستخدام في مجال الراديو في عام 1922؟
A) ويليام شوكلي
B) أوليغ لوسيف
C) رودولف هيلش
D) يوليوس إدغار ليلينفيلد
- 18. في أي سنة حصل يوليوس إدغار ليلينفيلد على براءة اختراع لجهاز يشبه الترانزستور ذو التأثير الحقل؟
A) 1954
B) 1938
C) 1926
D) 1941
- 19. من هو العالم الذي لاحظ أول وصلة من النوع p-n في السيليكون حوالي عام 1941؟
A) موريس تاننباوم
B) راسل أويل
C) هيربرت ماتاره
D) جون باردين
- 20. ما هي المادة التي استخدمها شوكلي لابتكار الترانزستور ذو الوصلة النقطية بعد فشله في استخدام الجرمانيوم والسيليكون؟
A) أرسنيد الغاليوم
B) سيليكون
C) نحاس
D) جرمانيوم
- 21. ما هو اسم المضخم الذي أعلنت عنه مجموعة هيربرت ماتاره بعد الحرب العالمية الثانية؟
A) ترانزيستور تأثير المجال
B) ترانزيستور الوصلة
C) ترانزيستور نقطة الاتصال
D) ترانزيستور ترانزيسترون
- 22. في أي سنة قام موريس تاننباوم بتصنيع أول ترانزستور ذو وصلة السيليكون في مختبرات بل؟
A) 1926
B) 1947
C) 1938
D) 1954
|