- 1. أشباه الموصلات هي مواد تتميز بخصائص توصيل كهربائي تقع بين موصل وعازل. وقد أحدثت ثورة في مجال التكنولوجيا من خلال تمكين تطوير الأجهزة الإلكترونية مثل الترانزستورات والصمامات الثنائية والدوائر المتكاملة. هذه المكونات هي أساس الإلكترونيات الحديثة وتستخدم في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف الذكية والأجهزة الطبية. تعمل أشباه الموصلات عن طريق التحكم في تدفق التيار الكهربائي، مما يسمح بالتحكم الدقيق في الإشارات والبيانات. وقد جعلت خصائصها الفريدة منها مكونًا أساسيًا في تطوير الاتصالات والحوسبة ومجالات أخرى مختلفة من العلوم والتكنولوجيا. أي من المواد التالية هي مادة شائعة الاستخدام في صناعة أشباه الموصلات؟
A) الألومنيوم
B) النحاس
C) الصلب
D) السيليكون
- 2. تُستخدم أشباه الموصلات غالبًا في إنتاج:
A) الأجهزة الإلكترونية
B) قطع غيار السيارات
C) مواد السباكة
D) الملابس
- 3. ما هي الخاصية من خصائص أشباه الموصلات التي يمكن تعديلها عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي؟
A) نقطة الانصهار
B) التوصيل الحراري
C) اللون
D) التوصيل الكهربائي
- 4. ما هي العملية التي تعدل قدرة التوصيل للمادة شبه الموصلة عن طريق إضافة شوائب؟
A) التطعيم (أو الترقق)
B) الأيونية
C) الاندماج
D) التسامي
- 5. ما هي العناصر المستخدمة بشكل شائع في عملية إضافة الشوائب من النوع السالب (n-type) في أشباه الموصلات؟
A) الزرنيخ، الفوسفور، أو الأرسينيك.
B) البرون، الجاليوم، أو الإنديوم.
C) الكربون، النيتروجين، أو الأكسجين.
D) السيليكون، الجرمانيوم، أو القصدير.
- 6. ما هو أشباه الموصلات الأكثر شيوعًا بعد السيليكون؟
A) مركب الإنديوم والفوسفور (إنديوم فوسفيد)
B) كربيد السيليكون
C) الجرمانيوم
D) مركب الألومنيوم والزرنيخ (جاليوم أرسنيد)
- 7. ما هو نوع المادة التي تُستخدم غالبًا في الكابلات ذات السعة العالية والتي تعمل بجهد متوسط إلى مرتفع، كجزء من عزلها؟
A) مطاط السيليكون
B) سلك نحاسي
C) بلاستيك XLPE مع الكربون الأسود
D) ألياف زجاجية
- 8. ما هو المصطلح المستخدم للإشارة إلى أشباه الموصلات التي تم تعديلها عن طريق التخفيف؟
A) أشباه الموصلات النقية.
B) أشباه الموصلات الطبيعية.
C) أشباه الموصلات المخففة أو الخارجية.
D) أشباه الموصلات الأصلية.
- 9. ما هو الجهاز الذي يمثل أول تطبيق عملي لأشباه الموصلات في مجال الإلكترونيات؟
A) جهاز كاشف الشعيرات
B) اللمبة المفرغة
C) الترانزستور
D) الدائرة المتكاملة
- 10. ما هي العناصر المستخدمة في عملية التشكيل من النوع p؟
A) كربون، نيتروجين، أكسجين
B) بورون، غاليوم، إنديوم
C) فوسفور، زرنيخ، أنتيمون
D) سيليكون، جرمانيوم، قصدير
- 11. ما هي الطريقة الأكثر استخدامًا لإنتاج قضبان بلورية مفردة من أشباه الموصلات؟
A) ترسيب الحزمة الجزيئية
B) ترسيب الطور الغازي
C) عملية تنقية المنطقة
D) طريقة تسوكرالسكي
- 12. ما هي العملية التي تستخدم فيها الأشعة فوق البنفسجية لإنشاء أنماط على مادة أشباه الموصلات؟
A) التصوير الضوئي
B) الحفر
C) الانتشار
D) الأكسدة الحرارية
- 13. ما هو نوع الغاز المستخدم بشكل شائع في عملية النقش بالبلازما؟
A) مركبات الكلور والفلور (فريون)
B) الآرغون
C) النيتروجين
D) الأكسجين
- 14. وفقًا لمبدأ باولي للاستبعاد، كم عدد الإلكترونات التي يمكن أن تشغل حالة كمية؟
A) إلكترونان لهما دوران معاكس.
B) صفر أو إلكترونان.
C) عدد غير محدود من الإلكترونات.
D) إلكترون واحد لكل حالة كمية.
- 15. ماذا يحدث للإلكترونات في نطاق التوصيل لأشباه الموصلات نتيجة لعملية إعادة التركيب الحرارية الطبيعية؟
A) إنها تصبح ثابتة.
B) إنها تزداد في العدد.
C) إنها تشكل روابط تساهمية.
D) إنها لا تبقى لفترة غير محدودة.
- 16. ما هو النموذج الذي يمكن استخدامه للتفكير في عملية التوصيل في أشباه الموصلات؟
A) نموذج بور
B) نموذج دروده
C) نموذج شرودنجر
D) نموذج هايزنبرغ
- 17. من قام بتطوير مضخمات ذات مقاومة سالبة ومكونة من طرفين واحدين للاستخدام في مجال الراديو في عام 1922؟
A) رودولف هيلش
B) يوليوس إدغار ليلينفيلد
C) ويليام شوكلي
D) أوليغ لوسيف
- 18. في أي سنة حصل يوليوس إدغار ليلينفيلد على براءة اختراع لجهاز يشبه الترانزستور ذو التأثير الحقل؟
A) 1941
B) 1954
C) 1938
D) 1926
- 19. من هو العالم الذي لاحظ أول وصلة من النوع p-n في السيليكون حوالي عام 1941؟
A) موريس تاننباوم
B) هيربرت ماتاره
C) جون باردين
D) راسل أويل
- 20. ما هي المادة التي استخدمها شوكلي لابتكار الترانزستور ذو الوصلة النقطية بعد فشله في استخدام الجرمانيوم والسيليكون؟
A) نحاس
B) أرسنيد الغاليوم
C) سيليكون
D) جرمانيوم
- 21. ما هو اسم المضخم الذي أعلنت عنه مجموعة هيربرت ماتاره بعد الحرب العالمية الثانية؟
A) ترانزيستور نقطة الاتصال
B) ترانزيستور الوصلة
C) ترانزيستور تأثير المجال
D) ترانزيستور ترانزيسترون
- 22. في أي سنة قام موريس تاننباوم بتصنيع أول ترانزستور ذو وصلة السيليكون في مختبرات بل؟
A) 1947
B) 1926
C) 1954
D) 1938
|