- 1. أشباه الموصلات هي مواد تتميز بخصائص توصيل كهربائي تقع بين موصل وعازل. وقد أحدثت ثورة في مجال التكنولوجيا من خلال تمكين تطوير الأجهزة الإلكترونية مثل الترانزستورات والصمامات الثنائية والدوائر المتكاملة. هذه المكونات هي أساس الإلكترونيات الحديثة وتستخدم في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف الذكية والأجهزة الطبية. تعمل أشباه الموصلات عن طريق التحكم في تدفق التيار الكهربائي، مما يسمح بالتحكم الدقيق في الإشارات والبيانات. وقد جعلت خصائصها الفريدة منها مكونًا أساسيًا في تطوير الاتصالات والحوسبة ومجالات أخرى مختلفة من العلوم والتكنولوجيا. أي من المواد التالية هي مادة شائعة الاستخدام في صناعة أشباه الموصلات؟
A) الألومنيوم
B) النحاس
C) السيليكون
D) الصلب
- 2. تُستخدم أشباه الموصلات غالبًا في إنتاج:
A) الأجهزة الإلكترونية
B) الملابس
C) قطع غيار السيارات
D) مواد السباكة
- 3. ما هي الخاصية من خصائص أشباه الموصلات التي يمكن تعديلها عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي؟
A) التوصيل الحراري
B) نقطة الانصهار
C) اللون
D) التوصيل الكهربائي
- 4. ما هي العملية التي تعدل قدرة التوصيل للمادة شبه الموصلة عن طريق إضافة شوائب؟
A) الأيونية
B) التسامي
C) الاندماج
D) التطعيم (أو الترقق)
- 5. ما هي العناصر المستخدمة بشكل شائع في عملية إضافة الشوائب من النوع السالب (n-type) في أشباه الموصلات؟
A) الكربون، النيتروجين، أو الأكسجين.
B) السيليكون، الجرمانيوم، أو القصدير.
C) البرون، الجاليوم، أو الإنديوم.
D) الزرنيخ، الفوسفور، أو الأرسينيك.
- 6. ما هو أشباه الموصلات الأكثر شيوعًا بعد السيليكون؟
A) الجرمانيوم
B) كربيد السيليكون
C) مركب الألومنيوم والزرنيخ (جاليوم أرسنيد)
D) مركب الإنديوم والفوسفور (إنديوم فوسفيد)
- 7. ما هو نوع المادة التي تُستخدم غالبًا في الكابلات ذات السعة العالية والتي تعمل بجهد متوسط إلى مرتفع، كجزء من عزلها؟
A) ألياف زجاجية
B) مطاط السيليكون
C) بلاستيك XLPE مع الكربون الأسود
D) سلك نحاسي
- 8. ما هو المصطلح المستخدم للإشارة إلى أشباه الموصلات التي تم تعديلها عن طريق التخفيف؟
A) أشباه الموصلات المخففة أو الخارجية.
B) أشباه الموصلات الطبيعية.
C) أشباه الموصلات النقية.
D) أشباه الموصلات الأصلية.
- 9. ما هو الجهاز الذي يمثل أول تطبيق عملي لأشباه الموصلات في مجال الإلكترونيات؟
A) جهاز كاشف الشعيرات
B) الترانزستور
C) الدائرة المتكاملة
D) اللمبة المفرغة
- 10. ما هي العناصر المستخدمة في عملية التشكيل من النوع p؟
A) بورون، غاليوم، إنديوم
B) سيليكون، جرمانيوم، قصدير
C) كربون، نيتروجين، أكسجين
D) فوسفور، زرنيخ، أنتيمون
- 11. ما هي الطريقة الأكثر استخدامًا لإنتاج قضبان بلورية مفردة من أشباه الموصلات؟
A) ترسيب الطور الغازي
B) عملية تنقية المنطقة
C) طريقة تسوكرالسكي
D) ترسيب الحزمة الجزيئية
- 12. ما هي العملية التي تستخدم فيها الأشعة فوق البنفسجية لإنشاء أنماط على مادة أشباه الموصلات؟
A) الأكسدة الحرارية
B) الحفر
C) التصوير الضوئي
D) الانتشار
- 13. ما هو نوع الغاز المستخدم بشكل شائع في عملية النقش بالبلازما؟
A) مركبات الكلور والفلور (فريون)
B) الأكسجين
C) الآرغون
D) النيتروجين
- 14. وفقًا لمبدأ باولي للاستبعاد، كم عدد الإلكترونات التي يمكن أن تشغل حالة كمية؟
A) صفر أو إلكترونان.
B) إلكترون واحد لكل حالة كمية.
C) عدد غير محدود من الإلكترونات.
D) إلكترونان لهما دوران معاكس.
- 15. ماذا يحدث للإلكترونات في نطاق التوصيل لأشباه الموصلات نتيجة لعملية إعادة التركيب الحرارية الطبيعية؟
A) إنها تصبح ثابتة.
B) إنها تزداد في العدد.
C) إنها لا تبقى لفترة غير محدودة.
D) إنها تشكل روابط تساهمية.
- 16. ما هو النموذج الذي يمكن استخدامه للتفكير في عملية التوصيل في أشباه الموصلات؟
A) نموذج بور
B) نموذج دروده
C) نموذج هايزنبرغ
D) نموذج شرودنجر
- 17. من قام بتطوير مضخمات ذات مقاومة سالبة ومكونة من طرفين واحدين للاستخدام في مجال الراديو في عام 1922؟
A) ويليام شوكلي
B) يوليوس إدغار ليلينفيلد
C) رودولف هيلش
D) أوليغ لوسيف
- 18. في أي سنة حصل يوليوس إدغار ليلينفيلد على براءة اختراع لجهاز يشبه الترانزستور ذو التأثير الحقل؟
A) 1938
B) 1926
C) 1941
D) 1954
- 19. من هو العالم الذي لاحظ أول وصلة من النوع p-n في السيليكون حوالي عام 1941؟
A) جون باردين
B) موريس تاننباوم
C) هيربرت ماتاره
D) راسل أويل
- 20. ما هي المادة التي استخدمها شوكلي لابتكار الترانزستور ذو الوصلة النقطية بعد فشله في استخدام الجرمانيوم والسيليكون؟
A) أرسنيد الغاليوم
B) نحاس
C) جرمانيوم
D) سيليكون
- 21. ما هو اسم المضخم الذي أعلنت عنه مجموعة هيربرت ماتاره بعد الحرب العالمية الثانية؟
A) ترانزيستور تأثير المجال
B) ترانزيستور الوصلة
C) ترانزيستور ترانزيسترون
D) ترانزيستور نقطة الاتصال
- 22. في أي سنة قام موريس تاننباوم بتصنيع أول ترانزستور ذو وصلة السيليكون في مختبرات بل؟
A) 1938
B) 1954
C) 1926
D) 1947
|