- 1. أشباه الموصلات هي مواد تتميز بخصائص توصيل كهربائي تقع بين موصل وعازل. وقد أحدثت ثورة في مجال التكنولوجيا من خلال تمكين تطوير الأجهزة الإلكترونية مثل الترانزستورات والصمامات الثنائية والدوائر المتكاملة. هذه المكونات هي أساس الإلكترونيات الحديثة وتستخدم في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر والهواتف الذكية والأجهزة الطبية. تعمل أشباه الموصلات عن طريق التحكم في تدفق التيار الكهربائي، مما يسمح بالتحكم الدقيق في الإشارات والبيانات. وقد جعلت خصائصها الفريدة منها مكونًا أساسيًا في تطوير الاتصالات والحوسبة ومجالات أخرى مختلفة من العلوم والتكنولوجيا. أي من المواد التالية هي مادة شائعة الاستخدام في صناعة أشباه الموصلات؟
A) السيليكون
B) الصلب
C) النحاس
D) الألومنيوم
- 2. تُستخدم أشباه الموصلات غالبًا في إنتاج:
A) الملابس
B) مواد السباكة
C) الأجهزة الإلكترونية
D) قطع غيار السيارات
- 3. ما هي الخاصية من خصائص أشباه الموصلات التي يمكن تعديلها عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي؟
A) التوصيل الحراري
B) التوصيل الكهربائي
C) اللون
D) نقطة الانصهار
- 4. ما هي العملية التي تعدل قدرة التوصيل للمادة شبه الموصلة عن طريق إضافة شوائب؟
A) الأيونية
B) التسامي
C) التطعيم (أو الترقق)
D) الاندماج
- 5. ما هي العناصر المستخدمة بشكل شائع في عملية إضافة الشوائب من النوع السالب (n-type) في أشباه الموصلات؟
A) الكربون، النيتروجين، أو الأكسجين.
B) البرون، الجاليوم، أو الإنديوم.
C) السيليكون، الجرمانيوم، أو القصدير.
D) الزرنيخ، الفوسفور، أو الأرسينيك.
- 6. ما هو أشباه الموصلات الأكثر شيوعًا بعد السيليكون؟
A) مركب الألومنيوم والزرنيخ (جاليوم أرسنيد)
B) كربيد السيليكون
C) مركب الإنديوم والفوسفور (إنديوم فوسفيد)
D) الجرمانيوم
- 7. ما هو نوع المادة التي تُستخدم غالبًا في الكابلات ذات السعة العالية والتي تعمل بجهد متوسط إلى مرتفع، كجزء من عزلها؟
A) بلاستيك XLPE مع الكربون الأسود
B) مطاط السيليكون
C) سلك نحاسي
D) ألياف زجاجية
- 8. ما هو المصطلح المستخدم للإشارة إلى أشباه الموصلات التي تم تعديلها عن طريق التخفيف؟
A) أشباه الموصلات النقية.
B) أشباه الموصلات الأصلية.
C) أشباه الموصلات المخففة أو الخارجية.
D) أشباه الموصلات الطبيعية.
- 9. ما هو الجهاز الذي يمثل أول تطبيق عملي لأشباه الموصلات في مجال الإلكترونيات؟
A) الترانزستور
B) اللمبة المفرغة
C) الدائرة المتكاملة
D) جهاز كاشف الشعيرات
- 10. ما هي العناصر المستخدمة في عملية التشكيل من النوع p؟
A) فوسفور، زرنيخ، أنتيمون
B) سيليكون، جرمانيوم، قصدير
C) بورون، غاليوم، إنديوم
D) كربون، نيتروجين، أكسجين
- 11. ما هي الطريقة الأكثر استخدامًا لإنتاج قضبان بلورية مفردة من أشباه الموصلات؟
A) طريقة تسوكرالسكي
B) ترسيب الحزمة الجزيئية
C) عملية تنقية المنطقة
D) ترسيب الطور الغازي
- 12. ما هي العملية التي تستخدم فيها الأشعة فوق البنفسجية لإنشاء أنماط على مادة أشباه الموصلات؟
A) التصوير الضوئي
B) الأكسدة الحرارية
C) الانتشار
D) الحفر
- 13. ما هو نوع الغاز المستخدم بشكل شائع في عملية النقش بالبلازما؟
A) النيتروجين
B) مركبات الكلور والفلور (فريون)
C) الأكسجين
D) الآرغون
- 14. وفقًا لمبدأ باولي للاستبعاد، كم عدد الإلكترونات التي يمكن أن تشغل حالة كمية؟
A) عدد غير محدود من الإلكترونات.
B) إلكترونان لهما دوران معاكس.
C) إلكترون واحد لكل حالة كمية.
D) صفر أو إلكترونان.
- 15. ماذا يحدث للإلكترونات في نطاق التوصيل لأشباه الموصلات نتيجة لعملية إعادة التركيب الحرارية الطبيعية؟
A) إنها لا تبقى لفترة غير محدودة.
B) إنها تصبح ثابتة.
C) إنها تشكل روابط تساهمية.
D) إنها تزداد في العدد.
- 16. ما هو النموذج الذي يمكن استخدامه للتفكير في عملية التوصيل في أشباه الموصلات؟
A) نموذج هايزنبرغ
B) نموذج شرودنجر
C) نموذج بور
D) نموذج دروده
- 17. من قام بتطوير مضخمات ذات مقاومة سالبة ومكونة من طرفين واحدين للاستخدام في مجال الراديو في عام 1922؟
A) رودولف هيلش
B) ويليام شوكلي
C) يوليوس إدغار ليلينفيلد
D) أوليغ لوسيف
- 18. في أي سنة حصل يوليوس إدغار ليلينفيلد على براءة اختراع لجهاز يشبه الترانزستور ذو التأثير الحقل؟
A) 1941
B) 1926
C) 1954
D) 1938
- 19. من هو العالم الذي لاحظ أول وصلة من النوع p-n في السيليكون حوالي عام 1941؟
A) هيربرت ماتاره
B) راسل أويل
C) جون باردين
D) موريس تاننباوم
- 20. ما هي المادة التي استخدمها شوكلي لابتكار الترانزستور ذو الوصلة النقطية بعد فشله في استخدام الجرمانيوم والسيليكون؟
A) سيليكون
B) نحاس
C) جرمانيوم
D) أرسنيد الغاليوم
- 21. ما هو اسم المضخم الذي أعلنت عنه مجموعة هيربرت ماتاره بعد الحرب العالمية الثانية؟
A) ترانزيستور ترانزيسترون
B) ترانزيستور تأثير المجال
C) ترانزيستور الوصلة
D) ترانزيستور نقطة الاتصال
- 22. في أي سنة قام موريس تاننباوم بتصنيع أول ترانزستور ذو وصلة السيليكون في مختبرات بل؟
A) 1954
B) 1926
C) 1938
D) 1947
|