- 1. Els semiconductors són materials que tenen una conductivitat elèctrica entre la d'un conductor i la d'un aïllant. Han revolucionat la tecnologia, permetent el desenvolupament de dispositius electrònics com ara transistors, díodes i circuits integrats. Aquests components són la base de l'electrònica moderna i s'utilitzen en una àmplia gamma d'aplicacions, incloses ordinadors, telèfons intel·ligents i dispositius mèdics. Els semiconductors funcionen controlant el flux de corrent elèctric, cosa que permet la manipulació precisa de senyals i dades. Les seves propietats úniques els han convertit en elements essencials per avançar en la comunicació, la computació i diversos altres camps de la ciència i la tecnologia.
Quin dels següents és un material semiconductor comú?
A) Alumini
B) Silici
C) Acer
D) Coure
- 2. Els semiconductors s'utilitzen sovint en la producció de:
A) Dispositius electrònics
B) Components d'automòbils
C) Materials de fontaneria
D) Roba
- 3. Com funciona una cèl·lula fotovoltaica?
A) Emmet energia lumínica.
B) Emmagatzema l'energia en forma de llum.
C) Converteix la llum en electricitat.
D) Reflecteix la llum.
- 4. Quin dispositiu permet que el corrent flueixi només en una direcció?
A) Diodi
B) Transistor
C) Condensador
D) Resistència
- 5. Quin és l'objectiu d'un regulador de tensió en un circuit electrònic?
A) Amplificar senyals.
B) Mantenir un nivell de tensió constant.
C) Emmagatzemar energia.
D) Transformar energia.
- 6. En quina direcció flueix el corrent en un semiconductor de tipus n?
A) Des dels forats electrònics als electrons
B) Des del negatiu al positiu
C) Des del positiu al negatiu
D) Des de la banda de valència a la banda de conducció
- 7. Quin paper té un interruptor semiconductor en els circuits electrònics?
A) Genera llum a partir de l'electricitat.
B) Amplifica senyals elèctrics.
C) Mesura els nivells de resistència.
D) Controla el flux de corrent en un circuit.
- 8. Quin component semiconductor emmagatzema càrrega temporalment?
A) Transistor
B) Resistència
C) Capacitor
D) Diodi
- 9. Quin és el procés de formació d'una capa fina d'òxid a la superfície d'un semiconductor?
A) Deposició
B) Oxidació
C) Electrodeposició
D) Gravat
- 10. Quina propietat dels semiconductors es pot modificar aplicant un camp elèctric extern?
A) Color
B) Punt de fusió
C) Conductivitat
D) Conductivitat tèrmica
- 11. Què és la banda prohibida en un semiconductor?
A) Energia emmagatzemada en el material.
B) Resistència al flux elèctric.
C) Diferència d'energia entre les bandes de valència i de conducció.
D) Temperatura a la qual funciona.
- 12. Quin és l'objectiu d'un làser semiconductor?
A) Convertir el so en electricitat.
B) Emmagatzemar dades.
C) Generar calor.
D) Generar llum coherent.
- 13. Quin dispositiu semiconductor funciona com un amplificador o un interruptor electrònic?
A) Inductor
B) Resistència
C) Diodi
D) Transistor
- 14. Quin procés modifica la conductivitat d'un semiconductor en afegir impureses?
A) Sublimació
B) Dopatge
C) Ionització
D) Fusió
- 15. Quins elements s'utilitzen habitualment per a la dopatge de tipus n en semiconductors?
A) Antimoni, fòsfor o arsènic
B) Carboni, nitrogen o oxigen
C) Bor, gal·li o indi
D) Silici, germani o estany
- 16. Quin semiconductor és el segon més comú després de la sílice?
A) Carbur de silici
B) Germani
C) Arseniure de gal·li
D) Fosfure d'indí
- 17. Quin tipus de material s'utilitza sovint en els cables d'alta capacitat i de mitjana a alta tensió com a part del seu aïllament?
A) Fil de coure
B) Goma de silicona
C) Plàstic XLPE amb negre de carboni
D) Fibra de vidre
- 18. Com es diuen els semiconductors que han estat modificats mitjançant la dopatge?
A) Semiconductors naturals
B) Semiconductors purs
C) Semiconductors dopats o extraterics
D) Semiconductors intrínsecs
- 19. Quin dispositiu va ser la primera aplicació pràctica dels semiconductors en l'electrònica?
A) El tub de buit
B) El transistor
C) El circuit integrat
D) El detector de filament
- 20. Quins elements s'utilitzen per a la dopatge de tipus p?
A) Carboni, nitrogen, oxigen
B) Fòsfors, arsènic, antimoni
C) Silici, germani, estany
D) Bor, gal·li, indi
- 21. Quin mètode s'utilitza habitualment per al creixement de lingots monocristalins de semiconductors?
A) Refinació per zona
B) Epitaxia en fase vapor
C) Mètode de Czochralski
D) Epitaxia per feix molecular
- 22. Quin procés implica l'ús de llum ultraviolada per crear patrons en un semiconductor?
A) Difusió
B) Gravat
C) Fotolitografia
D) Oxidació tèrmica
- 23. Quin tipus de gas s'utilitza habitualment en la gravat per plasma?
A) Oxigen
B) Nitrogen
C) Clorofluorocarbon (Freon)
D) Argó
- 24. Segons el principi d'exclusió de Pauli, quantes electrons poden ocupar un estat quàntic?
A) Dos electrons amb espins oposats.
B) Zero o dos electrons.
C) Un electró per estat quàntic.
D) Un nombre il·limitat d'electrons.
- 25. Què passa amb els electrons a la banda de conducció d'un semiconductor a causa de la recombinació tèrmica natural?
A) Augmenten en nombre.
B) No hi romanen indefinidament.
C) Formen enllaços covalents.
D) Es tornen estacionaris.
- 26. Quin model es pot utilitzar per entendre la conducció en semiconductors?
A) El model de Heisenberg
B) El model de Drude
C) El model de Bohr
D) El model de Schrödinger
- 27. Qui va desenvolupar amplificadors de dues terminals amb resistència negativa per a ràdio el 1922?
A) William Shockley
B) Rudolf Hilsch
C) Oleg Losev
D) Julius Edgar Lilienfeld
- 28. En quin any va patentar Julius Edgar Lilienfeld un dispositiu que s'assemblava a un transistor d'efecte de camp?
A) 1926
B) 1954
C) 1941
D) 1938
- 29. Qui va observar la primera unió p-n en silici al voltant de 1941?
A) John Bardeen
B) Morris Tanenbaum
C) Russell Ohl
D) Herbert Mataré
- 30. Quin material va utilitzar Shockley per inventar el transistor de contacte puntual després de fracassar amb el germani i el silici?
A) Silici
B) Coure
C) Germani
D) Arseniure de gal·li
- 31. Com es deia l'amplificador que el grup de Herbert Mataré va anunciar després de la Segona Guerra Mundial?
A) Transistor de contacte puntual
B) Transistor de juntura
C) Transistron
D) Transistor d'efecte de camp
- 32. En quin any va fabricar Morris Tanenbaum el primer transistor de juntura de silici als laboratoris de Bell?
A) 1926
B) 1947
C) 1954
D) 1938
|