- 1. Els semiconductors són materials que tenen una conductivitat elèctrica entre la d'un conductor i la d'un aïllant. Han revolucionat la tecnologia, permetent el desenvolupament de dispositius electrònics com ara transistors, díodes i circuits integrats. Aquests components són la base de l'electrònica moderna i s'utilitzen en una àmplia gamma d'aplicacions, incloses ordinadors, telèfons intel·ligents i dispositius mèdics. Els semiconductors funcionen controlant el flux de corrent elèctric, cosa que permet la manipulació precisa de senyals i dades. Les seves propietats úniques els han convertit en elements essencials per avançar en la comunicació, la computació i diversos altres camps de la ciència i la tecnologia.
Quin dels següents és un material semiconductor comú?
A) Silici
B) Coure
C) Alumini
D) Acer
- 2. Els semiconductors s'utilitzen sovint en la producció de:
A) Materials de fontaneria
B) Dispositius electrònics
C) Components d'automòbils
D) Roba
- 3. Com funciona una cèl·lula fotovoltaica?
A) Emmet energia lumínica.
B) Reflecteix la llum.
C) Emmagatzema l'energia en forma de llum.
D) Converteix la llum en electricitat.
- 4. Quin dispositiu permet que el corrent flueixi només en una direcció?
A) Transistor
B) Diodi
C) Resistència
D) Condensador
- 5. Quin és l'objectiu d'un regulador de tensió en un circuit electrònic?
A) Mantenir un nivell de tensió constant.
B) Transformar energia.
C) Amplificar senyals.
D) Emmagatzemar energia.
- 6. En quina direcció flueix el corrent en un semiconductor de tipus n?
A) Des de la banda de valència a la banda de conducció
B) Des del negatiu al positiu
C) Des dels forats electrònics als electrons
D) Des del positiu al negatiu
- 7. Quin paper té un interruptor semiconductor en els circuits electrònics?
A) Mesura els nivells de resistència.
B) Controla el flux de corrent en un circuit.
C) Amplifica senyals elèctrics.
D) Genera llum a partir de l'electricitat.
- 8. Quin component semiconductor emmagatzema càrrega temporalment?
A) Diodi
B) Transistor
C) Capacitor
D) Resistència
- 9. Quin és el procés de formació d'una capa fina d'òxid a la superfície d'un semiconductor?
A) Gravat
B) Electrodeposició
C) Oxidació
D) Deposició
- 10. Quina propietat dels semiconductors es pot modificar aplicant un camp elèctric extern?
A) Conductivitat
B) Color
C) Conductivitat tèrmica
D) Punt de fusió
- 11. Què és la banda prohibida en un semiconductor?
A) Temperatura a la qual funciona.
B) Energia emmagatzemada en el material.
C) Diferència d'energia entre les bandes de valència i de conducció.
D) Resistència al flux elèctric.
- 12. Quin és l'objectiu d'un làser semiconductor?
A) Convertir el so en electricitat.
B) Generar llum coherent.
C) Emmagatzemar dades.
D) Generar calor.
- 13. Quin dispositiu semiconductor funciona com un amplificador o un interruptor electrònic?
A) Inductor
B) Diodi
C) Resistència
D) Transistor
- 14. Quin procés modifica la conductivitat d'un semiconductor en afegir impureses?
A) Ionització
B) Fusió
C) Dopatge
D) Sublimació
- 15. Quins elements s'utilitzen habitualment per a la dopatge de tipus n en semiconductors?
A) Carboni, nitrogen o oxigen
B) Bor, gal·li o indi
C) Antimoni, fòsfor o arsènic
D) Silici, germani o estany
- 16. Quin semiconductor és el segon més comú després de la sílice?
A) Germani
B) Arseniure de gal·li
C) Carbur de silici
D) Fosfure d'indí
- 17. Quin tipus de material s'utilitza sovint en els cables d'alta capacitat i de mitjana a alta tensió com a part del seu aïllament?
A) Goma de silicona
B) Plàstic XLPE amb negre de carboni
C) Fil de coure
D) Fibra de vidre
- 18. Com es diuen els semiconductors que han estat modificats mitjançant la dopatge?
A) Semiconductors purs
B) Semiconductors naturals
C) Semiconductors intrínsecs
D) Semiconductors dopats o extraterics
- 19. Quin dispositiu va ser la primera aplicació pràctica dels semiconductors en l'electrònica?
A) El tub de buit
B) El transistor
C) El detector de filament
D) El circuit integrat
- 20. Quins elements s'utilitzen per a la dopatge de tipus p?
A) Fòsfors, arsènic, antimoni
B) Bor, gal·li, indi
C) Silici, germani, estany
D) Carboni, nitrogen, oxigen
- 21. Quin mètode s'utilitza habitualment per al creixement de lingots monocristalins de semiconductors?
A) Refinació per zona
B) Epitaxia en fase vapor
C) Epitaxia per feix molecular
D) Mètode de Czochralski
- 22. Quin procés implica l'ús de llum ultraviolada per crear patrons en un semiconductor?
A) Difusió
B) Gravat
C) Oxidació tèrmica
D) Fotolitografia
- 23. Quin tipus de gas s'utilitza habitualment en la gravat per plasma?
A) Oxigen
B) Argó
C) Clorofluorocarbon (Freon)
D) Nitrogen
- 24. Segons el principi d'exclusió de Pauli, quantes electrons poden ocupar un estat quàntic?
A) Un nombre il·limitat d'electrons.
B) Un electró per estat quàntic.
C) Zero o dos electrons.
D) Dos electrons amb espins oposats.
- 25. Què passa amb els electrons a la banda de conducció d'un semiconductor a causa de la recombinació tèrmica natural?
A) Augmenten en nombre.
B) Formen enllaços covalents.
C) No hi romanen indefinidament.
D) Es tornen estacionaris.
- 26. Quin model es pot utilitzar per entendre la conducció en semiconductors?
A) El model de Schrödinger
B) El model de Bohr
C) El model de Drude
D) El model de Heisenberg
- 27. Qui va desenvolupar amplificadors de dues terminals amb resistència negativa per a ràdio el 1922?
A) Rudolf Hilsch
B) Oleg Losev
C) William Shockley
D) Julius Edgar Lilienfeld
- 28. En quin any va patentar Julius Edgar Lilienfeld un dispositiu que s'assemblava a un transistor d'efecte de camp?
A) 1954
B) 1926
C) 1938
D) 1941
- 29. Qui va observar la primera unió p-n en silici al voltant de 1941?
A) John Bardeen
B) Herbert Mataré
C) Russell Ohl
D) Morris Tanenbaum
- 30. Quin material va utilitzar Shockley per inventar el transistor de contacte puntual després de fracassar amb el germani i el silici?
A) Arseniure de gal·li
B) Germani
C) Silici
D) Coure
- 31. Com es deia l'amplificador que el grup de Herbert Mataré va anunciar després de la Segona Guerra Mundial?
A) Transistor d'efecte de camp
B) Transistor de contacte puntual
C) Transistor de juntura
D) Transistron
- 32. En quin any va fabricar Morris Tanenbaum el primer transistor de juntura de silici als laboratoris de Bell?
A) 1926
B) 1938
C) 1954
D) 1947
|