- 1. Els semiconductors són materials que tenen una conductivitat elèctrica entre la d'un conductor i la d'un aïllant. Han revolucionat la tecnologia, permetent el desenvolupament de dispositius electrònics com ara transistors, díodes i circuits integrats. Aquests components són la base de l'electrònica moderna i s'utilitzen en una àmplia gamma d'aplicacions, incloses ordinadors, telèfons intel·ligents i dispositius mèdics. Els semiconductors funcionen controlant el flux de corrent elèctric, cosa que permet la manipulació precisa de senyals i dades. Les seves propietats úniques els han convertit en elements essencials per avançar en la comunicació, la computació i diversos altres camps de la ciència i la tecnologia.
Quin dels següents és un material semiconductor comú?
A) Alumini
B) Coure
C) Acer
D) Silici
- 2. Els semiconductors s'utilitzen sovint en la producció de:
A) Roba
B) Components d'automòbils
C) Materials de fontaneria
D) Dispositius electrònics
- 3. Com funciona una cèl·lula fotovoltaica?
A) Reflecteix la llum.
B) Converteix la llum en electricitat.
C) Emmet energia lumínica.
D) Emmagatzema l'energia en forma de llum.
- 4. Quin dispositiu permet que el corrent flueixi només en una direcció?
A) Diodi
B) Condensador
C) Resistència
D) Transistor
- 5. Quin és l'objectiu d'un regulador de tensió en un circuit electrònic?
A) Amplificar senyals.
B) Mantenir un nivell de tensió constant.
C) Transformar energia.
D) Emmagatzemar energia.
- 6. En quina direcció flueix el corrent en un semiconductor de tipus n?
A) Des de la banda de valència a la banda de conducció
B) Des dels forats electrònics als electrons
C) Des del positiu al negatiu
D) Des del negatiu al positiu
- 7. Quin paper té un interruptor semiconductor en els circuits electrònics?
A) Genera llum a partir de l'electricitat.
B) Controla el flux de corrent en un circuit.
C) Mesura els nivells de resistència.
D) Amplifica senyals elèctrics.
- 8. Quin component semiconductor emmagatzema càrrega temporalment?
A) Transistor
B) Capacitor
C) Diodi
D) Resistència
- 9. Quin és el procés de formació d'una capa fina d'òxid a la superfície d'un semiconductor?
A) Oxidació
B) Gravat
C) Electrodeposició
D) Deposició
- 10. Quina propietat dels semiconductors es pot modificar aplicant un camp elèctric extern?
A) Conductivitat tèrmica
B) Punt de fusió
C) Conductivitat
D) Color
- 11. Què és la banda prohibida en un semiconductor?
A) Resistència al flux elèctric.
B) Energia emmagatzemada en el material.
C) Diferència d'energia entre les bandes de valència i de conducció.
D) Temperatura a la qual funciona.
- 12. Quin és l'objectiu d'un làser semiconductor?
A) Emmagatzemar dades.
B) Convertir el so en electricitat.
C) Generar calor.
D) Generar llum coherent.
- 13. Quin dispositiu semiconductor funciona com un amplificador o un interruptor electrònic?
A) Inductor
B) Diodi
C) Transistor
D) Resistència
- 14. Quin procés modifica la conductivitat d'un semiconductor en afegir impureses?
A) Fusió
B) Sublimació
C) Ionització
D) Dopatge
- 15. Quins elements s'utilitzen habitualment per a la dopatge de tipus n en semiconductors?
A) Carboni, nitrogen o oxigen
B) Bor, gal·li o indi
C) Antimoni, fòsfor o arsènic
D) Silici, germani o estany
- 16. Quin semiconductor és el segon més comú després de la sílice?
A) Carbur de silici
B) Fosfure d'indí
C) Arseniure de gal·li
D) Germani
- 17. Quin tipus de material s'utilitza sovint en els cables d'alta capacitat i de mitjana a alta tensió com a part del seu aïllament?
A) Fibra de vidre
B) Goma de silicona
C) Plàstic XLPE amb negre de carboni
D) Fil de coure
- 18. Com es diuen els semiconductors que han estat modificats mitjançant la dopatge?
A) Semiconductors dopats o extraterics
B) Semiconductors intrínsecs
C) Semiconductors purs
D) Semiconductors naturals
- 19. Quin dispositiu va ser la primera aplicació pràctica dels semiconductors en l'electrònica?
A) El circuit integrat
B) El tub de buit
C) El transistor
D) El detector de filament
- 20. Quins elements s'utilitzen per a la dopatge de tipus p?
A) Silici, germani, estany
B) Bor, gal·li, indi
C) Carboni, nitrogen, oxigen
D) Fòsfors, arsènic, antimoni
- 21. Quin mètode s'utilitza habitualment per al creixement de lingots monocristalins de semiconductors?
A) Mètode de Czochralski
B) Epitaxia en fase vapor
C) Refinació per zona
D) Epitaxia per feix molecular
- 22. Quin procés implica l'ús de llum ultraviolada per crear patrons en un semiconductor?
A) Fotolitografia
B) Difusió
C) Oxidació tèrmica
D) Gravat
- 23. Quin tipus de gas s'utilitza habitualment en la gravat per plasma?
A) Argó
B) Clorofluorocarbon (Freon)
C) Oxigen
D) Nitrogen
- 24. Segons el principi d'exclusió de Pauli, quantes electrons poden ocupar un estat quàntic?
A) Zero o dos electrons.
B) Un electró per estat quàntic.
C) Dos electrons amb espins oposats.
D) Un nombre il·limitat d'electrons.
- 25. Què passa amb els electrons a la banda de conducció d'un semiconductor a causa de la recombinació tèrmica natural?
A) Formen enllaços covalents.
B) Es tornen estacionaris.
C) No hi romanen indefinidament.
D) Augmenten en nombre.
- 26. Quin model es pot utilitzar per entendre la conducció en semiconductors?
A) El model de Bohr
B) El model de Schrödinger
C) El model de Heisenberg
D) El model de Drude
- 27. Qui va desenvolupar amplificadors de dues terminals amb resistència negativa per a ràdio el 1922?
A) Julius Edgar Lilienfeld
B) William Shockley
C) Rudolf Hilsch
D) Oleg Losev
- 28. En quin any va patentar Julius Edgar Lilienfeld un dispositiu que s'assemblava a un transistor d'efecte de camp?
A) 1954
B) 1941
C) 1938
D) 1926
- 29. Qui va observar la primera unió p-n en silici al voltant de 1941?
A) Russell Ohl
B) John Bardeen
C) Herbert Mataré
D) Morris Tanenbaum
- 30. Quin material va utilitzar Shockley per inventar el transistor de contacte puntual després de fracassar amb el germani i el silici?
A) Coure
B) Germani
C) Silici
D) Arseniure de gal·li
- 31. Com es deia l'amplificador que el grup de Herbert Mataré va anunciar després de la Segona Guerra Mundial?
A) Transistor de contacte puntual
B) Transistor d'efecte de camp
C) Transistor de juntura
D) Transistron
- 32. En quin any va fabricar Morris Tanenbaum el primer transistor de juntura de silici als laboratoris de Bell?
A) 1954
B) 1938
C) 1926
D) 1947
|