- 1. Los semiconductores son materiales con una conductividad eléctrica intermedia entre la de un conductor y la de un aislante. Han revolucionado la tecnología al permitir el desarrollo de dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. Estos componentes son la espina dorsal de la electrónica moderna y se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como ordenadores, teléfonos inteligentes y dispositivos médicos. Los semiconductores funcionan controlando el flujo de corriente eléctrica, lo que permite la manipulación precisa de señales y datos. Sus propiedades únicas los han hecho esenciales para el avance de la comunicación, la informática y otros campos de la ciencia y la tecnología.
¿Cuál de los siguientes es un material semiconductor común?
A) Acero
B) Cobre
C) Aluminio
D) Silicio
- 2. Los semiconductores se utilizan a menudo en la producción de:
A) Dispositivos electrónicos
B) Materiales de fontanería
C) Ropa
D) Piezas de automóviles
- 3. ¿Cómo funciona una célula fotovoltaica?
A) Refleja la luz
B) Almacena energía en forma de luz
C) Convierte la luz en electricidad
D) Emite luz
- 4. ¿Qué dispositivo permite que la corriente circule en una sola dirección?
A) Condensador
B) Transistor
C) Resistencia
D) Diodo
- 5. ¿Para qué sirve un regulador de tensión en un circuito electrónico?
A) Mantener un nivel de tensión constante
B) Transformar la energía
C) Almacenar energía
D) Amplificar las señales
- 6. ¿Qué papel desempeña un interruptor semiconductor en los circuitos electrónicos?
A) Genera luz a partir de la electricidad.
B) Controla el flujo de corriente en un circuito.
C) Mide los niveles de resistencia.
D) Amplifica las señales eléctricas.
- 7. ¿Qué dispositivo semiconductor funciona como amplificador o interruptor electrónico?
A) Transistor
B) Diodo
C) Inductor
D) Resistencia
- 8. ¿Qué componente semiconductor almacena carga temporalmente?
A) Diodo
B) Resistencia
C) Condensador
D) Transistor
- 9. ¿Qué propiedad de los semiconductores puede modificarse aplicando un campo eléctrico externo?
A) Conductividad
B) Punto de fusión
C) Conductividad térmica
D) Color
- 10. ¿En qué dirección circula la corriente en un semiconductor de tipo n?
A) De negativo a positivo
B) De positivo a negativo
C) De la banda de valencia a la banda de conducción
D) De agujeros electrónicos a electrones
- 11. ¿Qué es el proceso de formación de una fina capa de óxido en la superficie de un semiconductor?
A) Oxidación
B) Depósito
C) Grabado
D) Revestimiento
- 12. ¿Para qué sirve un láser semiconductor?
A) Generar calor
B) Almacenar datos
C) Convertir el sonido en electricidad
D) Producir luz coherente
- 13. ¿Qué es la banda prohibida en un semiconductor?
A) Resistencia al flujo eléctrico
B) Energía almacenada en el material
C) Diferencia de energía entre las bandas de valencia y de conducción
D) Temperatura a la que funciona
- 14. ¿Qué proceso modifica la conductividad de un semiconductor mediante la adición de impurezas?
A) Sublimación
B) Fusión
C) Dopaje
D) Ionización
- 15. ¿Qué elementos se utilizan comúnmente para la dopaje de tipo n en semiconductores?
A) Antimonio, fósforo o arsénico
B) Silicio, germanio o estaño
C) Carbono, nitrógeno u oxígeno
D) Boro, galio o indio
- 16. ¿Qué semiconductor es el segundo más común después del silicio?
A) Carburo de silicio
B) Germanio
C) Arseniuro de galio
D) Fosfuro de indio
- 17. ¿Qué tipo de material se utiliza comúnmente en cables de alta capacidad y de medio a alto voltaje como parte de su aislamiento?
A) Goma de silicona
B) Plástico XLPE con negro de carbón
C) Fibra de vidrio
D) Cable de cobre
- 18. ¿Cuál es el término para los semiconductores que han sido modificados mediante la dopaje?
A) Semiconductores naturales
B) Semiconductores puros
C) Semiconductores dopados o de tipo compuesto
D) Semiconductores intrínsecos
- 19. ¿Qué elementos se utilizan para la dopaje de tipo p?
A) Boro, galio, indio
B) Carbono, nitrógeno, oxígeno
C) Fósforo, arsénico, antimonio
D) Silicio, germanio, estaño
- 20. ¿Qué método se utiliza comúnmente para el crecimiento de lingotes monocristalinos de semiconductores?
A) Epitaxia por haz molecular
B) Refinamiento por zonas
C) Método de Czochralski
D) Epitaxia en fase de vapor
- 21. ¿Qué proceso implica el uso de luz ultravioleta para crear patrones en un semiconductor?
A) Grabado
B) Oxidación térmica
C) Difusión
D) Fotolitografía
- 22. ¿Qué tipo de gas se utiliza comúnmente en la grabado por plasma?
A) Argón
B) Clorofluorocarbono (Freón)
C) Oxígeno
D) Nitrógeno
- 23. Según el principio de exclusión de Pauli, ¿cuántos electrones pueden ocupar un estado cuántico?
A) Dos electrones con espines opuestos.
B) Un número ilimitado de electrones.
C) Cero o dos electrones.
D) Un electrón por estado cuántico.
- 24. ¿Qué ocurre con los electrones en la banda de conducción de un semiconductor debido a la recombinación térmica natural?
A) No permanecen ahí indefinidamente.
B) Forman enlaces covalentes.
C) Se vuelven estacionarios.
D) Aumentan en número.
- 25. ¿Qué modelo se puede utilizar para comprender la conducción en semiconductores?
A) El modelo de Bohr
B) El modelo de Schrödinger
C) El modelo de Drude
D) El modelo de Heisenberg
- 26. ¿Quién desarrolló amplificadores de dos terminales con resistencia negativa para la radio en 1922?
A) Oleg Losev
B) Rudolf Hilsch
C) Julius Edgar Lilienfeld
D) William Shockley
- 27. ¿En qué año patentó Julius Edgar Lilienfeld un dispositivo que se asemejaba a un transistor de efecto de campo?
A) 1954
B) 1926
C) 1938
D) 1941
- 28. ¿Quién observó la primera unión p-n en silicio alrededor de 1941?
A) John Bardeen
B) Russell Ohl
C) Morris Tanenbaum
D) Herbert Mataré
- 29. ¿Qué material utilizó Shockley para inventar el transistor de contacto puntual después de fracasar con el germanio y el silicio?
A) Cobre
B) Silicio
C) Germanio
D) Arseniuro de galio
- 30. ¿Cuál fue el nombre del amplificador anunciado por el grupo de Herbert Mataré después de la Segunda Guerra Mundial?
A) Transistor de unión
B) Transistron
C) Transistor de efecto de campo
D) Transistor de contacto puntual
- 31. ¿En qué año fabricó Morris Tanenbaum el primer transistor de unión de silicio en los laboratorios Bell?
A) 1954
B) 1947
C) 1938
D) 1926
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