- 1. Los semiconductores son materiales con una conductividad eléctrica intermedia entre la de un conductor y la de un aislante. Han revolucionado la tecnología al permitir el desarrollo de dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. Estos componentes son la espina dorsal de la electrónica moderna y se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como ordenadores, teléfonos inteligentes y dispositivos médicos. Los semiconductores funcionan controlando el flujo de corriente eléctrica, lo que permite la manipulación precisa de señales y datos. Sus propiedades únicas los han hecho esenciales para el avance de la comunicación, la informática y otros campos de la ciencia y la tecnología.
¿Cuál de los siguientes es un material semiconductor común?
A) Silicio
B) Acero
C) Cobre
D) Aluminio
- 2. Los semiconductores se utilizan a menudo en la producción de:
A) Materiales de fontanería
B) Dispositivos electrónicos
C) Ropa
D) Piezas de automóviles
- 3. ¿Cómo funciona una célula fotovoltaica?
A) Emite luz
B) Almacena energía en forma de luz
C) Convierte la luz en electricidad
D) Refleja la luz
- 4. ¿Qué dispositivo permite que la corriente circule en una sola dirección?
A) Resistencia
B) Condensador
C) Diodo
D) Transistor
- 5. ¿Para qué sirve un regulador de tensión en un circuito electrónico?
A) Amplificar las señales
B) Almacenar energía
C) Mantener un nivel de tensión constante
D) Transformar la energía
- 6. ¿Qué papel desempeña un interruptor semiconductor en los circuitos electrónicos?
A) Mide los niveles de resistencia.
B) Controla el flujo de corriente en un circuito.
C) Genera luz a partir de la electricidad.
D) Amplifica las señales eléctricas.
- 7. ¿Qué dispositivo semiconductor funciona como amplificador o interruptor electrónico?
A) Diodo
B) Inductor
C) Resistencia
D) Transistor
- 8. ¿Qué componente semiconductor almacena carga temporalmente?
A) Diodo
B) Transistor
C) Condensador
D) Resistencia
- 9. ¿Qué propiedad de los semiconductores puede modificarse aplicando un campo eléctrico externo?
A) Color
B) Punto de fusión
C) Conductividad térmica
D) Conductividad
- 10. ¿En qué dirección circula la corriente en un semiconductor de tipo n?
A) De agujeros electrónicos a electrones
B) De negativo a positivo
C) De positivo a negativo
D) De la banda de valencia a la banda de conducción
- 11. ¿Qué es el proceso de formación de una fina capa de óxido en la superficie de un semiconductor?
A) Oxidación
B) Revestimiento
C) Grabado
D) Depósito
- 12. ¿Para qué sirve un láser semiconductor?
A) Almacenar datos
B) Generar calor
C) Convertir el sonido en electricidad
D) Producir luz coherente
- 13. ¿Qué es la banda prohibida en un semiconductor?
A) Diferencia de energía entre las bandas de valencia y de conducción
B) Energía almacenada en el material
C) Temperatura a la que funciona
D) Resistencia al flujo eléctrico
- 14. ¿Qué proceso modifica la conductividad de un semiconductor mediante la adición de impurezas?
A) Sublimación
B) Ionización
C) Dopaje
D) Fusión
- 15. ¿Qué elementos se utilizan comúnmente para la dopaje de tipo n en semiconductores?
A) Boro, galio o indio
B) Silicio, germanio o estaño
C) Carbono, nitrógeno u oxígeno
D) Antimonio, fósforo o arsénico
- 16. ¿Qué semiconductor es el segundo más común después del silicio?
A) Germanio
B) Arseniuro de galio
C) Carburo de silicio
D) Fosfuro de indio
- 17. ¿Qué tipo de material se utiliza comúnmente en cables de alta capacidad y de medio a alto voltaje como parte de su aislamiento?
A) Fibra de vidrio
B) Plástico XLPE con negro de carbón
C) Cable de cobre
D) Goma de silicona
- 18. ¿Cuál es el término para los semiconductores que han sido modificados mediante la dopaje?
A) Semiconductores intrínsecos
B) Semiconductores naturales
C) Semiconductores dopados o de tipo compuesto
D) Semiconductores puros
- 19. ¿Qué elementos se utilizan para la dopaje de tipo p?
A) Fósforo, arsénico, antimonio
B) Silicio, germanio, estaño
C) Boro, galio, indio
D) Carbono, nitrógeno, oxígeno
- 20. ¿Qué método se utiliza comúnmente para el crecimiento de lingotes monocristalinos de semiconductores?
A) Epitaxia en fase de vapor
B) Epitaxia por haz molecular
C) Método de Czochralski
D) Refinamiento por zonas
- 21. ¿Qué proceso implica el uso de luz ultravioleta para crear patrones en un semiconductor?
A) Grabado
B) Difusión
C) Oxidación térmica
D) Fotolitografía
- 22. ¿Qué tipo de gas se utiliza comúnmente en la grabado por plasma?
A) Oxígeno
B) Argón
C) Clorofluorocarbono (Freón)
D) Nitrógeno
- 23. Según el principio de exclusión de Pauli, ¿cuántos electrones pueden ocupar un estado cuántico?
A) Dos electrones con espines opuestos.
B) Cero o dos electrones.
C) Un electrón por estado cuántico.
D) Un número ilimitado de electrones.
- 24. ¿Qué ocurre con los electrones en la banda de conducción de un semiconductor debido a la recombinación térmica natural?
A) Aumentan en número.
B) No permanecen ahí indefinidamente.
C) Se vuelven estacionarios.
D) Forman enlaces covalentes.
- 25. ¿Qué modelo se puede utilizar para comprender la conducción en semiconductores?
A) El modelo de Schrödinger
B) El modelo de Drude
C) El modelo de Bohr
D) El modelo de Heisenberg
- 26. ¿Quién desarrolló amplificadores de dos terminales con resistencia negativa para la radio en 1922?
A) Rudolf Hilsch
B) Oleg Losev
C) Julius Edgar Lilienfeld
D) William Shockley
- 27. ¿En qué año patentó Julius Edgar Lilienfeld un dispositivo que se asemejaba a un transistor de efecto de campo?
A) 1941
B) 1938
C) 1926
D) 1954
- 28. ¿Quién observó la primera unión p-n en silicio alrededor de 1941?
A) Morris Tanenbaum
B) Herbert Mataré
C) Russell Ohl
D) John Bardeen
- 29. ¿Qué material utilizó Shockley para inventar el transistor de contacto puntual después de fracasar con el germanio y el silicio?
A) Arseniuro de galio
B) Germanio
C) Silicio
D) Cobre
- 30. ¿Cuál fue el nombre del amplificador anunciado por el grupo de Herbert Mataré después de la Segunda Guerra Mundial?
A) Transistron
B) Transistor de unión
C) Transistor de contacto puntual
D) Transistor de efecto de campo
- 31. ¿En qué año fabricó Morris Tanenbaum el primer transistor de unión de silicio en los laboratorios Bell?
A) 1954
B) 1938
C) 1947
D) 1926
|