Semiconductor - Examen
A) Se vuelven estacionarios. B) No permanecen indefinidamente. C) Se unen permanentemente a la red cristalina. D) Se convierten en fotones.
A) Cristal sólido rígido. B) Líquido cuántico. C) Condensado de Bose-Einstein. D) Gas ideal clásico.
A) Principio de exclusión de Pauli. B) Ley de Coulomb. C) Conservación de la energía. D) Principio de incertidumbre de Heisenberg.
A) Logarítmica. B) Parabólica. C) Lineal. D) Exponencial.
A) No se ven afectados por las fuerzas externas. B) De manera muy similar a como lo harían en el vacío. C) Se mueven en direcciones opuestas. D) Se detienen instantáneamente.
A) Masa atómica. B) Masa relativista. C) Masa en reposo. D) Masa efectiva.
A) Modelo estándar. B) Modelo de Ising. C) Modelo de Bohr. D) Modelo de Drude.
A) Se comporta como un metal. B) Es inerte. C) Es inestable. D) Es altamente conductora.
A) Un hueco. B) Un positrón. C) Un fotón. D) Un neutrón.
A) Variable. B) Negativa. C) Neutra. D) Positiva.
A) Positiva. B) Infinita. C) Negativa. D) Cero.
A) Condensadores B) Tubos de vacío C) Resistencias D) Diodos emisores de luz
A) Disipación del calor B) Reducción de la intensidad de la luz C) Disminución de la interferencia magnética D) Aumento de la resistencia eléctrica
A) Turbinas eólicas B) Bombas neumáticas C) Sistemas hidráulicos D) Vehículos eléctricos
A) Calentadores solares B) Cargadores de baterías C) Enfriadores termoeléctricos D) Estabilizadores de voltaje
A) Plomo y silicio B) Germanio y estaño C) Silicio y germanio D) Carbono y estaño
A) 4 B) 2 C) 8 D) 6
A) Silicio puro B) Arseniuro de galio C) Arsénico líquido D) Estructura orgánica
A) Ausencia de variación de temperatura B) Estructura cristalina rígida C) Resistencia cero a temperatura absoluta D) Conductividad intermedia
A) Lingotes masivos B) Estructuras de película delgada C) Recipientes líquidos D) Cables cristalinos
A) Aislamiento térmico B) Motores eléctricos C) Radiodifusión D) Circuitos integrados
A) Transparencia del color B) Pureza química C) Reducción de peso D) Permeabilidad magnética
A) Defectos cristalinos B) Baja temperatura ambiente C) Alta humedad D) Vacío excesivo
A) De 100 a 300 mm B) De 5 a 20 mm C) De 500 a 1000 mm D) De 10 a 50 mm
A) Pulverización por plasma B) Método Czochralski C) Oxidación térmica D) Fotolitografía
A) Eliminación de impurezas B) Formación de dióxido de silicio C) Dopado de la oblea D) Grabado del circuito
A) Radiación gamma B) Láser rojo visible C) Luz infrarroja D) Luz ultravioleta
A) Lijado mecánico B) Grabado con plasma C) Inmersión en ácido D) Ablación láser
A) Nitrógeno B) Clorofluorocarbono C) Hidrógeno D) Argón
A) En el cátodo B) En la pared de la cámara C) En la entrada de gas D) En el ánodo
A) Difusión B) Fotolitografía C) Crecimiento de Czochralski D) Oxidación
A) Dopaje B) Refinado C) Unión D) Grabado
A) Unión P-N B) Campo magnético C) Capa de dióxido de silicio D) Película delgada
A) Temperatura ambiente B) 2.000 grados Celsius C) 1.100 grados Celsius D) 500 grados Celsius
A) Carburo de silicio B) Arseniuro de galio C) Compuestos orgánicos D) Germanio
A) No tienen electrones. B) Tienen demasiados electrones libres. C) Las bandas de valencia están llenas, lo que impide el flujo de electrones. D) Están compuestos de plástico.
A) Un exceso de electrones B) Una escasez de electrones C) Una carga neutra D) Un exceso de protones
A) Equilibrio térmico B) Aniquilación total C) Uniones homotipales D) Difusión ambipolar
A) Electrones B) Iones C) Huecos D) Protones
A) Huecos B) Electrones C) Fotones D) Iones
A) Recombinación B) Generación C) Expansión térmica D) Excitación
A) Un líquido conductor B) Una banda de valencia pura C) Una amplia banda de electrones libres D) Una estrecha franja de iones inmóviles
A) El exceso de fotones B) La falta de huecos C) La banda de iones inmóviles D) La ausencia de energía térmica
A) Diferencia de temperatura B) Corrientes equilibradas C) Iones fijos D) Conductividad eléctrica
A) Iones inmóviles B) Bandas de valencia C) Neutrones D) Fotones
A) Generación B) Difusión ambipolar C) Recombinación D) Dopaje
A) Silicio con fósforo B) Arseniuro de galio C) XLPE con negro de carbón D) Cobre puro
A) tipo n B) tipo p C) metálico D) intrínseco
A) tipo n B) aislante C) conductor D) tipo p
A) Diodo láser B) Transistor C) Detector de bigote de gato D) Circuito integrado
A) 1920 B) 1947 C) 1958 D) 1904
A) Una sonda de punto caliente B) Un imán C) Un microscopio electrónico D) Un haz de láser
A) Nivel de Fermi B) Estado fundamental C) Banda de valencia D) Banda de conducción
A) Dentro de la banda de conducción B) Dentro de los espacios prohibidos de la banda C) Dentro de la banda de valencia D) Por encima de la banda de conducción
A) Superconductor B) Semiconductor débil C) Aislante cuántico D) Submetal
A) Sustratos para HEMT B) Electrolitos para baterías C) Soportes estructurales mecánicos D) Soldadura a alta temperatura
A) Energía térmica o radiación B) Resistencia eléctrica C) Emisiones de protones D) Campos magnéticos
A) La masa de los átomos dopantes B) El tamaño de la muestra del semiconductor C) Mecánica estadística cuántica D) La pureza del aire circundante
A) Independiente de T B) exp(−EG/kT) C) Proporción lineal con respecto a T D) Proporción inversamente proporcional a T
A) Amorfo B) Metálico C) Intrínseco D) Extrínseco
A) Elementos del Grupo V B) Metales de transición C) Gases nobles D) Elementos del Grupo III
A) Aceptores B) Trampas C) Aislantes D) Donantes
A) Fósforo B) Arsénico C) Boro D) Selenio
A) Implantación iónica B) Ajuste manual C) Fusión térmica D) Deflexión magnética
A) Cobre B) Plata C) Oro D) Selenio
A) Thomas Johann Seebeck B) Karl Ferdinand Braun C) Willoughby Smith D) Michael Faraday
A) Efecto fotovoltaico B) Efecto Hall C) Efecto Seebeck D) Rectificación
A) Edwin Herbert Hall B) Nevill Francis Mott C) J.J. Thomson D) Felix Bloch
A) Josef Weiss B) Walter H. Schottky C) Boris Davydov D) Johan Koenigsberger
A) Alan Herries Wilson B) Bernhard Gudden C) John Bardeen D) Felix Bloch
A) Una célula solar funcional B) Un transmisor de radio C) Un detector infrarrojo D) Un tubo de vacío |
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