A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Ausencia completa de portadores de carga C) Alta concentración de impurezas D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) GaN B) Si C) GaAs D) InP
A) Un electrón extra B) Una carga neutra C) Un electrón menos D) Un protón extra
A) La energía máxima de la banda de conducción B) La energía mínima de la banda de valencia C) La energía mínima para que el electrón salga del material D) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50%
A) Se incrementan los portadores libres B) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas C) La conductividad aumenta instantáneamente D) Se cancelan gradientes de concentración
A) La barrera de potencial aumenta B) El ánodo es más negativo que el cátodo C) El campo eléctrico apunta a la región p D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción B) La masa efectiva del electrón C) La movilidad de los huecos D) Su resistencia térmica
A) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) B) Está separado en ambas regiones C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Es irrelevante para la unión
A) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La relación entre resistividad y espesor D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Base-emisor en directa y colector-base en inversa B) Base-emisor y base-colector en directa C) Colector-emisor en directa sin corriente de base D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La resistencia del encapsulado C) La capacitancia del emisor D) La tensión de colector únicamente
A) Ambos funcionan idénticamente B) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por corriente C) Conducción controlada por tensión D) Necesitar corriente en la compuerta
A) VGS supera la tensión umbral B) VGS es negativo C) La compuerta se conecta a tierra D) VDS es cero
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Aumenta su resistencia con el campo magnético D) Logra resistividad infinita
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La temperatura por encima de la cual no conduce C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La mínima temperatura alcanzable
A) Efecto Meissner B) Efecto Seebeck C) Efecto Hall D) Efecto Kelvin
A) Germanio B) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) C) Silicio dopado con boro D) Silicio
A) Un transistor JFET de potencia B) Un transistor bipolar con compuerta C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un dispositivo de dos terminales que rectifica
A) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos requieren compuerta para funcionar D) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido
A) esta sí B) esta tampoco C) esta menos D) esta no |