A) Ausencia completa de portadores de carga B) Alta concentración de impurezas C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) InP B) Si C) GaAs D) GaN
A) Un electrón extra B) Una carga neutra C) Un protón extra D) Un electrón menos
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía máxima de la banda de conducción C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía mínima para que el electrón salga del material
A) Se cancelan gradientes de concentración B) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas C) La conductividad aumenta instantáneamente D) Se incrementan los portadores libres
A) El campo eléctrico apunta a la región p B) El ánodo es más negativo que el cátodo C) La tensión externa reduce la barrera de potencial D) La barrera de potencial aumenta
A) La masa efectiva del electrón B) Su resistencia térmica C) La movilidad de los huecos D) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción
A) Está separado en ambas regiones B) Es irrelevante para la unión C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La relación entre resistividad y espesor B) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico C) La probabilidad de ruptura dieléctrica D) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos
A) Colector-emisor en directa sin corriente de base B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor y base-colector en directa
A) La capacitancia del emisor B) La corriente de base C) La tensión de colector únicamente D) La resistencia del encapsulado
A) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no B) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) Ambos funcionan idénticamente
A) Conducción controlada por tensión B) Tener dos uniones p-n C) Conducción controlada por corriente D) Necesitar corriente en la compuerta
A) VDS es cero B) La compuerta se conecta a tierra C) VGS es negativo D) VGS supera la tensión umbral
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Logra resistividad infinita D) Aumenta su resistencia con el campo magnético
A) La temperatura por encima de la cual no conduce B) La mínima temperatura alcanzable C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La temperatura en que su resistencia es máxima
A) Efecto Hall B) Efecto Kelvin C) Efecto Seebeck D) Efecto Meissner
A) Germanio B) Silicio C) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) D) Silicio dopado con boro
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un transistor JFET de potencia D) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) Todos requieren compuerta para funcionar C) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta sí B) esta tampoco C) esta menos D) esta no |