A) Alta concentración de impurezas B) Ausencia completa de portadores de carga C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) GaAs B) InP C) GaN D) Si
A) Un electrón menos B) Un protón extra C) Un electrón extra D) Una carga neutra
A) La energía mínima de la banda de valencia B) La energía mínima para que el electrón salga del material C) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% D) La energía máxima de la banda de conducción
A) La conductividad aumenta instantáneamente B) Se cancelan gradientes de concentración C) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas D) Se incrementan los portadores libres
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) La barrera de potencial aumenta C) La tensión externa reduce la barrera de potencial D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) La movilidad de los huecos B) La masa efectiva del electrón C) Su resistencia térmica D) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción
A) Está separado en ambas regiones B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Es irrelevante para la unión D) Se desplaza sólo hacia la región p
A) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos B) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico C) La relación entre resistividad y espesor D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Colector-emisor en directa sin corriente de base C) Base-emisor en inversa y base-colector en directa D) Base-emisor en directa y colector-base en inversa
A) La resistencia del encapsulado B) La capacitancia del emisor C) La tensión de colector únicamente D) La corriente de base
A) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión B) Ambos funcionan idénticamente C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no
A) Necesitar corriente en la compuerta B) Tener dos uniones p-n C) Conducción controlada por tensión D) Conducción controlada por corriente
A) VGS supera la tensión umbral B) VGS es negativo C) VDS es cero D) La compuerta se conecta a tierra
A) Aumenta su resistencia con el campo magnético B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Permite el paso de corriente sin pérdidas D) Logra resistividad infinita
A) La mínima temperatura alcanzable B) La temperatura en que su resistencia es máxima C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La temperatura por encima de la cual no conduce
A) Efecto Hall B) Efecto Meissner C) Efecto Kelvin D) Efecto Seebeck
A) Germanio B) Silicio C) Silicio dopado con boro D) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO)
A) Un transistor JFET de potencia B) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta C) Un dispositivo de dos terminales que rectifica D) Un transistor bipolar con compuerta
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias D) Todos requieren compuerta para funcionar
A) esta tampoco B) esta sí C) esta menos D) esta no |