A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Alta concentración de impurezas C) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos D) Ausencia completa de portadores de carga
A) Si B) GaAs C) InP D) GaN
A) Un protón extra B) Una carga neutra C) Un electrón menos D) Un electrón extra
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía máxima de la banda de conducción C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50%
A) Se incrementan los portadores libres B) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas C) La conductividad aumenta instantáneamente D) Se cancelan gradientes de concentración
A) La barrera de potencial aumenta B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) El ánodo es más negativo que el cátodo D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) La movilidad de los huecos B) Su resistencia térmica C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) La masa efectiva del electrón
A) Es irrelevante para la unión B) Está separado en ambas regiones C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La probabilidad de ruptura dieléctrica D) La relación entre resistividad y espesor
A) Base-emisor en inversa y base-colector en directa B) Colector-emisor en directa sin corriente de base C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La tensión de colector únicamente C) La resistencia del encapsulado D) La capacitancia del emisor
A) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión D) Ambos funcionan idénticamente
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por corriente C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por tensión
A) VGS supera la tensión umbral B) VDS es cero C) La compuerta se conecta a tierra D) VGS es negativo
A) Conduce mejor que un semiconductor dopado B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Logra resistividad infinita D) Permite el paso de corriente sin pérdidas
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La mínima temperatura alcanzable
A) Efecto Hall B) Efecto Meissner C) Efecto Kelvin D) Efecto Seebeck
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Silicio C) Silicio dopado con boro D) Germanio
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un transistor JFET de potencia D) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias D) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido
A) esta menos B) esta sí C) esta no D) esta tampoco |