A) Ausencia completa de portadores de carga B) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Alta concentración de impurezas
A) GaAs B) GaN C) Si D) InP
A) Un electrón menos B) Un electrón extra C) Un protón extra D) Una carga neutra
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía mínima de la banda de valencia C) La energía máxima de la banda de conducción D) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50%
A) Se cancelan gradientes de concentración B) La conductividad aumenta instantáneamente C) Se incrementan los portadores libres D) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas
A) El campo eléctrico apunta a la región p B) El ánodo es más negativo que el cátodo C) La barrera de potencial aumenta D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) Su resistencia térmica B) La movilidad de los huecos C) La masa efectiva del electrón D) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción
A) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) B) Se desplaza sólo hacia la región p C) Es irrelevante para la unión D) Está separado en ambas regiones
A) La relación entre resistividad y espesor B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Colector-emisor en directa sin corriente de base C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La tensión de colector únicamente B) La corriente de base C) La capacitancia del emisor D) La resistencia del encapsulado
A) Ambos funcionan idénticamente B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión D) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por corriente C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por tensión
A) La compuerta se conecta a tierra B) VGS supera la tensión umbral C) VDS es cero D) VGS es negativo
A) Conduce mejor que un semiconductor dopado B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Permite el paso de corriente sin pérdidas D) Logra resistividad infinita
A) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor B) La temperatura en que su resistencia es máxima C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La mínima temperatura alcanzable
A) Efecto Meissner B) Efecto Kelvin C) Efecto Seebeck D) Efecto Hall
A) Germanio B) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) C) Silicio dopado con boro D) Silicio
A) Un transistor JFET de potencia B) Un transistor bipolar con compuerta C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un dispositivo de dos terminales que rectifica
A) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta B) Todos requieren compuerta para funcionar C) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias D) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido
A) esta sí B) esta menos C) esta no D) esta tampoco |