A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos C) Alta concentración de impurezas D) Ausencia completa de portadores de carga
A) GaAs B) Si C) GaN D) InP
A) Una carga neutra B) Un electrón extra C) Un electrón menos D) Un protón extra
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía máxima de la banda de conducción
A) La conductividad aumenta instantáneamente B) Se incrementan los portadores libres C) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas D) Se cancelan gradientes de concentración
A) La tensión externa reduce la barrera de potencial B) El campo eléctrico apunta a la región p C) El ánodo es más negativo que el cátodo D) La barrera de potencial aumenta
A) Su resistencia térmica B) La movilidad de los huecos C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) La masa efectiva del electrón
A) Es irrelevante para la unión B) Está separado en ambas regiones C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La relación entre resistividad y espesor B) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico C) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos D) La probabilidad de ruptura dieléctrica
A) Colector-emisor en directa sin corriente de base B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Base-emisor y base-colector en directa D) Base-emisor en directa y colector-base en inversa
A) La resistencia del encapsulado B) La capacitancia del emisor C) La corriente de base D) La tensión de colector únicamente
A) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no B) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no C) Ambos funcionan idénticamente D) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por tensión C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por corriente
A) VDS es cero B) VGS supera la tensión umbral C) VGS es negativo D) La compuerta se conecta a tierra
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Conduce mejor que un semiconductor dopado D) Logra resistividad infinita
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor C) La mínima temperatura alcanzable D) La temperatura por encima de la cual no conduce
A) Efecto Meissner B) Efecto Hall C) Efecto Seebeck D) Efecto Kelvin
A) Silicio dopado con boro B) Germanio C) Silicio D) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO)
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un transistor JFET de potencia
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido C) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta no B) esta sí C) esta menos D) esta tampoco |