A) Alta concentración de impurezas B) Conducción debida únicamente a electrones libres C) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos D) Ausencia completa de portadores de carga
A) Si B) GaN C) InP D) GaAs
A) Un protón extra B) Una carga neutra C) Un electrón menos D) Un electrón extra
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía mínima para que el electrón salga del material C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía máxima de la banda de conducción
A) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas B) Se incrementan los portadores libres C) Se cancelan gradientes de concentración D) La conductividad aumenta instantáneamente
A) La barrera de potencial aumenta B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) El ánodo es más negativo que el cátodo D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) La masa efectiva del electrón B) La movilidad de los huecos C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) Su resistencia térmica
A) Está separado en ambas regiones B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Es irrelevante para la unión D) Se desplaza sólo hacia la región p
A) La probabilidad de ruptura dieléctrica B) La relación entre resistividad y espesor C) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Base-emisor en directa y colector-base en inversa C) Colector-emisor en directa sin corriente de base D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La capacitancia del emisor B) La tensión de colector únicamente C) La corriente de base D) La resistencia del encapsulado
A) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no B) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no C) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión D) Ambos funcionan idénticamente
A) Tener dos uniones p-n B) Necesitar corriente en la compuerta C) Conducción controlada por corriente D) Conducción controlada por tensión
A) La compuerta se conecta a tierra B) VDS es cero C) VGS es negativo D) VGS supera la tensión umbral
A) Logra resistividad infinita B) Permite el paso de corriente sin pérdidas C) Aumenta su resistencia con el campo magnético D) Conduce mejor que un semiconductor dopado
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La mínima temperatura alcanzable C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor
A) Efecto Meissner B) Efecto Hall C) Efecto Seebeck D) Efecto Kelvin
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Germanio C) Silicio dopado con boro D) Silicio
A) Un transistor JFET de potencia B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un transistor bipolar con compuerta
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias C) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta D) Todos requieren compuerta para funcionar
A) esta no B) esta tampoco C) esta sí D) esta menos |