A) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos B) Ausencia completa de portadores de carga C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Alta concentración de impurezas
A) GaN B) GaAs C) Si D) InP
A) Una carga neutra B) Un protón extra C) Un electrón extra D) Un electrón menos
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía mínima de la banda de valencia C) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% D) La energía máxima de la banda de conducción
A) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas B) Se cancelan gradientes de concentración C) La conductividad aumenta instantáneamente D) Se incrementan los portadores libres
A) La barrera de potencial aumenta B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) El ánodo es más negativo que el cátodo D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) Su resistencia térmica B) La movilidad de los huecos C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) La masa efectiva del electrón
A) Se desplaza sólo hacia la región p B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Está separado en ambas regiones D) Es irrelevante para la unión
A) La probabilidad de ruptura dieléctrica B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La relación entre resistividad y espesor D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Colector-emisor en directa sin corriente de base B) Base-emisor y base-colector en directa C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La capacitancia del emisor B) La resistencia del encapsulado C) La corriente de base D) La tensión de colector únicamente
A) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no B) Ambos funcionan idénticamente C) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no D) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión
A) Conducción controlada por corriente B) Conducción controlada por tensión C) Necesitar corriente en la compuerta D) Tener dos uniones p-n
A) VGS supera la tensión umbral B) VDS es cero C) La compuerta se conecta a tierra D) VGS es negativo
A) Logra resistividad infinita B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Permite el paso de corriente sin pérdidas D) Aumenta su resistencia con el campo magnético
A) La mínima temperatura alcanzable B) La temperatura por encima de la cual no conduce C) La temperatura en que su resistencia es máxima D) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor
A) Efecto Kelvin B) Efecto Hall C) Efecto Meissner D) Efecto Seebeck
A) Silicio dopado con boro B) Germanio C) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) D) Silicio
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta D) Un transistor JFET de potencia
A) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos requieren compuerta para funcionar D) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido
A) esta sí B) esta no C) esta tampoco D) esta menos |