- 1. Los semiconductores son materiales con una conductividad eléctrica intermedia entre la de un conductor y la de un aislante. Han revolucionado la tecnología al permitir el desarrollo de dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. Estos componentes son la espina dorsal de la electrónica moderna y se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, como ordenadores, teléfonos inteligentes y dispositivos médicos. Los semiconductores funcionan controlando el flujo de corriente eléctrica, lo que permite la manipulación precisa de señales y datos. Sus propiedades únicas los han hecho esenciales para el avance de la comunicación, la informática y otros campos de la ciencia y la tecnología.
¿Cuál de los siguientes es un material semiconductor común?
A) Silicio
B) Cobre
C) Acero
D) Aluminio
- 2. Los semiconductores se utilizan a menudo en la producción de:
A) Piezas de automóviles
B) Materiales de fontanería
C) Dispositivos electrónicos
D) Ropa
- 3. ¿Cómo funciona una célula fotovoltaica?
A) Refleja la luz
B) Almacena energía en forma de luz
C) Emite luz
D) Convierte la luz en electricidad
- 4. ¿Qué dispositivo permite que la corriente circule en una sola dirección?
A) Condensador
B) Resistencia
C) Diodo
D) Transistor
- 5. ¿Para qué sirve un regulador de tensión en un circuito electrónico?
A) Amplificar las señales
B) Transformar la energía
C) Mantener un nivel de tensión constante
D) Almacenar energía
- 6. ¿Qué papel desempeña un interruptor semiconductor en los circuitos electrónicos?
A) Mide los niveles de resistencia.
B) Amplifica las señales eléctricas.
C) Genera luz a partir de la electricidad.
D) Controla el flujo de corriente en un circuito.
- 7. ¿Qué dispositivo semiconductor funciona como amplificador o interruptor electrónico?
A) Diodo
B) Resistencia
C) Transistor
D) Inductor
- 8. ¿Qué componente semiconductor almacena carga temporalmente?
A) Resistencia
B) Transistor
C) Diodo
D) Condensador
- 9. ¿Qué propiedad de los semiconductores puede modificarse aplicando un campo eléctrico externo?
A) Punto de fusión
B) Conductividad térmica
C) Color
D) Conductividad
- 10. ¿En qué dirección circula la corriente en un semiconductor de tipo n?
A) De la banda de valencia a la banda de conducción
B) De positivo a negativo
C) De agujeros electrónicos a electrones
D) De negativo a positivo
- 11. ¿Qué es el proceso de formación de una fina capa de óxido en la superficie de un semiconductor?
A) Depósito
B) Grabado
C) Revestimiento
D) Oxidación
- 12. ¿Para qué sirve un láser semiconductor?
A) Generar calor
B) Producir luz coherente
C) Almacenar datos
D) Convertir el sonido en electricidad
- 13. ¿Qué es la banda prohibida en un semiconductor?
A) Energía almacenada en el material
B) Resistencia al flujo eléctrico
C) Temperatura a la que funciona
D) Diferencia de energía entre las bandas de valencia y de conducción
- 14. ¿Qué proceso modifica la conductividad de un semiconductor mediante la adición de impurezas?
A) Sublimación
B) Fusión
C) Ionización
D) Dopaje
- 15. ¿Qué elementos se utilizan comúnmente para la dopaje de tipo n en semiconductores?
A) Antimonio, fósforo o arsénico
B) Boro, galio o indio
C) Carbono, nitrógeno u oxígeno
D) Silicio, germanio o estaño
- 16. ¿Qué semiconductor es el segundo más común después del silicio?
A) Carburo de silicio
B) Germanio
C) Arseniuro de galio
D) Fosfuro de indio
- 17. ¿Qué tipo de material se utiliza comúnmente en cables de alta capacidad y de medio a alto voltaje como parte de su aislamiento?
A) Cable de cobre
B) Goma de silicona
C) Fibra de vidrio
D) Plástico XLPE con negro de carbón
- 18. ¿Cuál es el término para los semiconductores que han sido modificados mediante la dopaje?
A) Semiconductores dopados o de tipo compuesto
B) Semiconductores intrínsecos
C) Semiconductores puros
D) Semiconductores naturales
- 19. ¿Qué elementos se utilizan para la dopaje de tipo p?
A) Fósforo, arsénico, antimonio
B) Boro, galio, indio
C) Silicio, germanio, estaño
D) Carbono, nitrógeno, oxígeno
- 20. ¿Qué método se utiliza comúnmente para el crecimiento de lingotes monocristalinos de semiconductores?
A) Método de Czochralski
B) Epitaxia en fase de vapor
C) Refinamiento por zonas
D) Epitaxia por haz molecular
- 21. ¿Qué proceso implica el uso de luz ultravioleta para crear patrones en un semiconductor?
A) Difusión
B) Fotolitografía
C) Oxidación térmica
D) Grabado
- 22. ¿Qué tipo de gas se utiliza comúnmente en la grabado por plasma?
A) Oxígeno
B) Argón
C) Clorofluorocarbono (Freón)
D) Nitrógeno
- 23. Según el principio de exclusión de Pauli, ¿cuántos electrones pueden ocupar un estado cuántico?
A) Un número ilimitado de electrones.
B) Un electrón por estado cuántico.
C) Dos electrones con espines opuestos.
D) Cero o dos electrones.
- 24. ¿Qué ocurre con los electrones en la banda de conducción de un semiconductor debido a la recombinación térmica natural?
A) Aumentan en número.
B) No permanecen ahí indefinidamente.
C) Forman enlaces covalentes.
D) Se vuelven estacionarios.
- 25. ¿Qué modelo se puede utilizar para comprender la conducción en semiconductores?
A) El modelo de Heisenberg
B) El modelo de Drude
C) El modelo de Schrödinger
D) El modelo de Bohr
- 26. ¿Quién desarrolló amplificadores de dos terminales con resistencia negativa para la radio en 1922?
A) Rudolf Hilsch
B) Julius Edgar Lilienfeld
C) Oleg Losev
D) William Shockley
- 27. ¿En qué año patentó Julius Edgar Lilienfeld un dispositivo que se asemejaba a un transistor de efecto de campo?
A) 1938
B) 1941
C) 1954
D) 1926
- 28. ¿Quién observó la primera unión p-n en silicio alrededor de 1941?
A) Morris Tanenbaum
B) John Bardeen
C) Russell Ohl
D) Herbert Mataré
- 29. ¿Qué material utilizó Shockley para inventar el transistor de contacto puntual después de fracasar con el germanio y el silicio?
A) Silicio
B) Cobre
C) Germanio
D) Arseniuro de galio
- 30. ¿Cuál fue el nombre del amplificador anunciado por el grupo de Herbert Mataré después de la Segunda Guerra Mundial?
A) Transistron
B) Transistor de unión
C) Transistor de contacto puntual
D) Transistor de efecto de campo
- 31. ¿En qué año fabricó Morris Tanenbaum el primer transistor de unión de silicio en los laboratorios Bell?
A) 1938
B) 1947
C) 1954
D) 1926
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