A) No permanecen indefinidamente. B) Se unen permanentemente a la red cristalina. C) Se convierten en fotones. D) Se vuelven estacionarios.
A) Líquido cuántico. B) Gas ideal clásico. C) Condensado de Bose-Einstein. D) Cristal sólido rígido.
A) Principio de incertidumbre de Heisenberg. B) Conservación de la energía. C) Principio de exclusión de Pauli. D) Ley de Coulomb.
A) Exponencial. B) Logarítmica. C) Parabólica. D) Lineal.
A) Se mueven en direcciones opuestas. B) Se detienen instantáneamente. C) De manera muy similar a como lo harían en el vacío. D) No se ven afectados por las fuerzas externas.
A) Masa en reposo. B) Masa atómica. C) Masa efectiva. D) Masa relativista.
A) Modelo estándar. B) Modelo de Ising. C) Modelo de Drude. D) Modelo de Bohr.
A) Es inerte. B) Se comporta como un metal. C) Es inestable. D) Es altamente conductora.
A) Un hueco. B) Un fotón. C) Un neutrón. D) Un positrón.
A) Neutra. B) Positiva. C) Negativa. D) Variable.
A) Positiva. B) Negativa. C) Infinita. D) Cero.
A) Condensadores B) Resistencias C) Tubos de vacío D) Diodos emisores de luz
A) Disipación del calor B) Aumento de la resistencia eléctrica C) Disminución de la interferencia magnética D) Reducción de la intensidad de la luz
A) Vehículos eléctricos B) Bombas neumáticas C) Sistemas hidráulicos D) Turbinas eólicas
A) Enfriadores termoeléctricos B) Calentadores solares C) Cargadores de baterías D) Estabilizadores de voltaje
A) Plomo y silicio B) Silicio y germanio C) Carbono y estaño D) Germanio y estaño
A) 6 B) 2 C) 4 D) 8
A) Estructura orgánica B) Arsénico líquido C) Silicio puro D) Arseniuro de galio
A) Estructura cristalina rígida B) Resistencia cero a temperatura absoluta C) Conductividad intermedia D) Ausencia de variación de temperatura
A) Lingotes masivos B) Recipientes líquidos C) Cables cristalinos D) Estructuras de película delgada
A) Motores eléctricos B) Radiodifusión C) Aislamiento térmico D) Circuitos integrados
A) Reducción de peso B) Permeabilidad magnética C) Pureza química D) Transparencia del color
A) Alta humedad B) Baja temperatura ambiente C) Vacío excesivo D) Defectos cristalinos
A) De 500 a 1000 mm B) De 10 a 50 mm C) De 5 a 20 mm D) De 100 a 300 mm
A) Pulverización por plasma B) Oxidación térmica C) Fotolitografía D) Método Czochralski
A) Grabado del circuito B) Dopado de la oblea C) Eliminación de impurezas D) Formación de dióxido de silicio
A) Láser rojo visible B) Luz infrarroja C) Radiación gamma D) Luz ultravioleta
A) Grabado con plasma B) Ablación láser C) Inmersión en ácido D) Lijado mecánico
A) Argón B) Nitrógeno C) Hidrógeno D) Clorofluorocarbono
A) En la entrada de gas B) En el ánodo C) En el cátodo D) En la pared de la cámara
A) Oxidación B) Difusión C) Crecimiento de Czochralski D) Fotolitografía
A) Grabado B) Unión C) Refinado D) Dopaje
A) Capa de dióxido de silicio B) Campo magnético C) Unión P-N D) Película delgada
A) 500 grados Celsius B) Temperatura ambiente C) 2.000 grados Celsius D) 1.100 grados Celsius
A) Carburo de silicio B) Arseniuro de galio C) Compuestos orgánicos D) Germanio
A) Tienen demasiados electrones libres. B) Las bandas de valencia están llenas, lo que impide el flujo de electrones. C) Están compuestos de plástico. D) No tienen electrones.
A) Un exceso de protones B) Una escasez de electrones C) Una carga neutra D) Un exceso de electrones
A) Uniones homotipales B) Difusión ambipolar C) Equilibrio térmico D) Aniquilación total
A) Huecos B) Protones C) Iones D) Electrones
A) Fotones B) Electrones C) Huecos D) Iones
A) Excitación B) Generación C) Expansión térmica D) Recombinación
A) Una amplia banda de electrones libres B) Una banda de valencia pura C) Un líquido conductor D) Una estrecha franja de iones inmóviles
A) La falta de huecos B) La banda de iones inmóviles C) El exceso de fotones D) La ausencia de energía térmica
A) Corrientes equilibradas B) Iones fijos C) Conductividad eléctrica D) Diferencia de temperatura
A) Iones inmóviles B) Fotones C) Bandas de valencia D) Neutrones
A) Difusión ambipolar B) Generación C) Recombinación D) Dopaje
A) Silicio con fósforo B) Arseniuro de galio C) XLPE con negro de carbón D) Cobre puro
A) tipo n B) intrínseco C) metálico D) tipo p
A) conductor B) tipo n C) aislante D) tipo p
A) Diodo láser B) Detector de bigote de gato C) Transistor D) Circuito integrado
A) 1920 B) 1947 C) 1958 D) 1904
A) Un imán B) Un haz de láser C) Un microscopio electrónico D) Una sonda de punto caliente
A) Nivel de Fermi B) Estado fundamental C) Banda de valencia D) Banda de conducción
A) Por encima de la banda de conducción B) Dentro de la banda de conducción C) Dentro de la banda de valencia D) Dentro de los espacios prohibidos de la banda
A) Aislante cuántico B) Semiconductor débil C) Superconductor D) Submetal
A) Soportes estructurales mecánicos B) Electrolitos para baterías C) Sustratos para HEMT D) Soldadura a alta temperatura
A) Campos magnéticos B) Energía térmica o radiación C) Resistencia eléctrica D) Emisiones de protones
A) El tamaño de la muestra del semiconductor B) La masa de los átomos dopantes C) La pureza del aire circundante D) Mecánica estadística cuántica
A) exp(−EG/kT) B) Proporción lineal con respecto a T C) Independiente de T D) Proporción inversamente proporcional a T
A) Intrínseco B) Extrínseco C) Metálico D) Amorfo
A) Gases nobles B) Elementos del Grupo V C) Elementos del Grupo III D) Metales de transición
A) Donantes B) Aislantes C) Aceptores D) Trampas
A) Selenio B) Fósforo C) Arsénico D) Boro
A) Fusión térmica B) Deflexión magnética C) Implantación iónica D) Ajuste manual
A) Plata B) Cobre C) Oro D) Selenio
A) Michael Faraday B) Thomas Johann Seebeck C) Willoughby Smith D) Karl Ferdinand Braun
A) Rectificación B) Efecto Seebeck C) Efecto Hall D) Efecto fotovoltaico
A) Nevill Francis Mott B) J.J. Thomson C) Felix Bloch D) Edwin Herbert Hall
A) Johan Koenigsberger B) Boris Davydov C) Josef Weiss D) Walter H. Schottky
A) John Bardeen B) Felix Bloch C) Bernhard Gudden D) Alan Herries Wilson
A) Un detector infrarrojo B) Un tubo de vacío C) Un transmisor de radio D) Una célula solar funcional |