A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Ausencia completa de portadores de carga C) Alta concentración de impurezas D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) Si B) GaN C) InP D) GaAs
A) Un electrón extra B) Un protón extra C) Un electrón menos D) Una carga neutra
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía máxima de la banda de conducción C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50%
A) La conductividad aumenta instantáneamente B) Se cancelan gradientes de concentración C) Se incrementan los portadores libres D) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) El campo eléctrico apunta a la región p C) La barrera de potencial aumenta D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) La masa efectiva del electrón B) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción C) Su resistencia térmica D) La movilidad de los huecos
A) Está separado en ambas regiones B) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Es irrelevante para la unión
A) La probabilidad de ruptura dieléctrica B) La relación entre resistividad y espesor C) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Base-emisor en directa y colector-base en inversa C) Colector-emisor en directa sin corriente de base D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La tensión de colector únicamente B) La resistencia del encapsulado C) La capacitancia del emisor D) La corriente de base
A) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no B) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) Ambos funcionan idénticamente
A) Conducción controlada por tensión B) Tener dos uniones p-n C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por corriente
A) La compuerta se conecta a tierra B) VGS supera la tensión umbral C) VDS es cero D) VGS es negativo
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Logra resistividad infinita D) Conduce mejor que un semiconductor dopado
A) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor B) La mínima temperatura alcanzable C) La temperatura en que su resistencia es máxima D) La temperatura por encima de la cual no conduce
A) Efecto Meissner B) Efecto Seebeck C) Efecto Kelvin D) Efecto Hall
A) Silicio dopado con boro B) Germanio C) Silicio D) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO)
A) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta B) Un transistor bipolar con compuerta C) Un dispositivo de dos terminales que rectifica D) Un transistor JFET de potencia
A) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta B) Todos requieren compuerta para funcionar C) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta menos B) esta tampoco C) esta sí D) esta no |