A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Alta concentración de impurezas C) Ausencia completa de portadores de carga D) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos
A) GaAs B) InP C) Si D) GaN
A) Un protón extra B) Una carga neutra C) Un electrón menos D) Un electrón extra
A) La energía máxima de la banda de conducción B) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía mínima para que el electrón salga del material
A) Se incrementan los portadores libres B) La conductividad aumenta instantáneamente C) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas D) Se cancelan gradientes de concentración
A) La barrera de potencial aumenta B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) El campo eléctrico apunta a la región p D) El ánodo es más negativo que el cátodo
A) La movilidad de los huecos B) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción C) Su resistencia térmica D) La masa efectiva del electrón
A) Se desplaza sólo hacia la región p B) Es irrelevante para la unión C) Está separado en ambas regiones D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La probabilidad de ruptura dieléctrica B) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos C) La relación entre resistividad y espesor D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Colector-emisor en directa sin corriente de base D) Base-emisor en directa y colector-base en inversa
A) La resistencia del encapsulado B) La tensión de colector únicamente C) La capacitancia del emisor D) La corriente de base
A) Ambos funcionan idénticamente B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión D) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no
A) Conducción controlada por corriente B) Conducción controlada por tensión C) Necesitar corriente en la compuerta D) Tener dos uniones p-n
A) VGS supera la tensión umbral B) La compuerta se conecta a tierra C) VGS es negativo D) VDS es cero
A) Conduce mejor que un semiconductor dopado B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Permite el paso de corriente sin pérdidas D) Logra resistividad infinita
A) La mínima temperatura alcanzable B) La temperatura en que su resistencia es máxima C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor
A) Efecto Seebeck B) Efecto Kelvin C) Efecto Hall D) Efecto Meissner
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Silicio C) Germanio D) Silicio dopado con boro
A) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta B) Un transistor JFET de potencia C) Un dispositivo de dos terminales que rectifica D) Un transistor bipolar con compuerta
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias C) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido D) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta
A) esta no B) esta menos C) esta tampoco D) esta sí |