A) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos B) Conducción debida únicamente a electrones libres C) Alta concentración de impurezas D) Ausencia completa de portadores de carga
A) Si B) GaN C) InP D) GaAs
A) Un protón extra B) Un electrón extra C) Un electrón menos D) Una carga neutra
A) La energía mínima para que el electrón salga del material B) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía máxima de la banda de conducción
A) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas B) La conductividad aumenta instantáneamente C) Se incrementan los portadores libres D) Se cancelan gradientes de concentración
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) El campo eléctrico apunta a la región p C) La barrera de potencial aumenta D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) Su resistencia térmica B) La masa efectiva del electrón C) La movilidad de los huecos D) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción
A) Se desplaza sólo hacia la región p B) Está separado en ambas regiones C) Es irrelevante para la unión D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos B) La probabilidad de ruptura dieléctrica C) La relación entre resistividad y espesor D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Colector-emisor en directa sin corriente de base B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La resistencia del encapsulado C) La tensión de colector únicamente D) La capacitancia del emisor
A) Ambos funcionan idénticamente B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no D) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión
A) Conducción controlada por tensión B) Tener dos uniones p-n C) Conducción controlada por corriente D) Necesitar corriente en la compuerta
A) VGS es negativo B) La compuerta se conecta a tierra C) VGS supera la tensión umbral D) VDS es cero
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Conduce mejor que un semiconductor dopado C) Logra resistividad infinita D) Aumenta su resistencia con el campo magnético
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La mínima temperatura alcanzable C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor
A) Efecto Meissner B) Efecto Kelvin C) Efecto Hall D) Efecto Seebeck
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Germanio C) Silicio dopado con boro D) Silicio
A) Un dispositivo de dos terminales que rectifica B) Un transistor bipolar con compuerta C) Un transistor JFET de potencia D) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta menos B) esta tampoco C) esta no D) esta sí |