A) Ausencia completa de portadores de carga B) Conducción debida únicamente a electrones libres C) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos D) Alta concentración de impurezas
A) Si B) GaAs C) InP D) GaN
A) Una carga neutra B) Un protón extra C) Un electrón extra D) Un electrón menos
A) La energía máxima de la banda de conducción B) La energía mínima para que el electrón salga del material C) La energía mínima de la banda de valencia D) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50%
A) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas B) La conductividad aumenta instantáneamente C) Se incrementan los portadores libres D) Se cancelan gradientes de concentración
A) El campo eléctrico apunta a la región p B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) La barrera de potencial aumenta D) El ánodo es más negativo que el cátodo
A) La masa efectiva del electrón B) Su resistencia térmica C) La movilidad de los huecos D) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción
A) Está separado en ambas regiones B) Se desplaza sólo hacia la región p C) Es irrelevante para la unión D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico B) La relación entre resistividad y espesor C) La probabilidad de ruptura dieléctrica D) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos
A) Base-emisor en directa y colector-base en inversa B) Base-emisor y base-colector en directa C) Base-emisor en inversa y base-colector en directa D) Colector-emisor en directa sin corriente de base
A) La corriente de base B) La capacitancia del emisor C) La resistencia del encapsulado D) La tensión de colector únicamente
A) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión B) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) Ambos funcionan idénticamente
A) Necesitar corriente en la compuerta B) Conducción controlada por tensión C) Conducción controlada por corriente D) Tener dos uniones p-n
A) VGS supera la tensión umbral B) VDS es cero C) La compuerta se conecta a tierra D) VGS es negativo
A) Logra resistividad infinita B) Permite el paso de corriente sin pérdidas C) Conduce mejor que un semiconductor dopado D) Aumenta su resistencia con el campo magnético
A) La mínima temperatura alcanzable B) La temperatura en que su resistencia es máxima C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La temperatura por encima de la cual no conduce
A) Efecto Kelvin B) Efecto Seebeck C) Efecto Hall D) Efecto Meissner
A) Germanio B) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) C) Silicio dopado con boro D) Silicio
A) Un dispositivo de dos terminales que rectifica B) Un transistor JFET de potencia C) Un transistor bipolar con compuerta D) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido C) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta no B) esta sí C) esta menos D) esta tampoco |