A) Ausencia completa de portadores de carga B) Conducción debida únicamente a electrones libres C) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos D) Alta concentración de impurezas
A) Si B) GaAs C) GaN D) InP
A) Una carga neutra B) Un protón extra C) Un electrón extra D) Un electrón menos
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía máxima de la banda de conducción C) La energía mínima para que el electrón salga del material D) La energía mínima de la banda de valencia
A) La conductividad aumenta instantáneamente B) Se incrementan los portadores libres C) Se cancelan gradientes de concentración D) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) La barrera de potencial aumenta C) La tensión externa reduce la barrera de potencial D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) La movilidad de los huecos B) La masa efectiva del electrón C) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción D) Su resistencia térmica
A) Está separado en ambas regiones B) Se desplaza sólo hacia la región p C) Es irrelevante para la unión D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) La relación entre resistividad y espesor B) La probabilidad de ruptura dieléctrica C) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico D) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos
A) Base-emisor en inversa y base-colector en directa B) Colector-emisor en directa sin corriente de base C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La resistencia del encapsulado C) La tensión de colector únicamente D) La capacitancia del emisor
A) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no D) Ambos funcionan idénticamente
A) Tener dos uniones p-n B) Conducción controlada por tensión C) Conducción controlada por corriente D) Necesitar corriente en la compuerta
A) VDS es cero B) La compuerta se conecta a tierra C) VGS supera la tensión umbral D) VGS es negativo
A) Permite el paso de corriente sin pérdidas B) Logra resistividad infinita C) Conduce mejor que un semiconductor dopado D) Aumenta su resistencia con el campo magnético
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor C) La temperatura por encima de la cual no conduce D) La mínima temperatura alcanzable
A) Efecto Kelvin B) Efecto Meissner C) Efecto Seebeck D) Efecto Hall
A) Silicio B) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) C) Germanio D) Silicio dopado con boro
A) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un transistor bipolar con compuerta D) Un transistor JFET de potencia
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta C) Todos requieren compuerta para funcionar D) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias
A) esta menos B) esta sí C) esta tampoco D) esta no |