A) Ausencia completa de portadores de carga B) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos C) Conducción debida únicamente a electrones libres D) Alta concentración de impurezas
A) GaAs B) Si C) GaN D) InP
A) Una carga neutra B) Un electrón extra C) Un electrón menos D) Un protón extra
A) La energía mínima de la banda de valencia B) La energía máxima de la banda de conducción C) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% D) La energía mínima para que el electrón salga del material
A) La conductividad aumenta instantáneamente B) Se incrementan los portadores libres C) Se cancelan gradientes de concentración D) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas
A) El campo eléctrico apunta a la región p B) La barrera de potencial aumenta C) El ánodo es más negativo que el cátodo D) La tensión externa reduce la barrera de potencial
A) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción B) La masa efectiva del electrón C) La movilidad de los huecos D) Su resistencia térmica
A) Está separado en ambas regiones B) Es irrelevante para la unión C) Se desplaza sólo hacia la región p D) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema)
A) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos B) La relación entre resistividad y espesor C) La probabilidad de ruptura dieléctrica D) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico
A) Base-emisor en directa y colector-base en inversa B) Base-emisor en inversa y base-colector en directa C) Colector-emisor en directa sin corriente de base D) Base-emisor y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La capacitancia del emisor C) La tensión de colector únicamente D) La resistencia del encapsulado
A) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no B) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no C) Ambos funcionan idénticamente D) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión
A) Conducción controlada por tensión B) Tener dos uniones p-n C) Necesitar corriente en la compuerta D) Conducción controlada por corriente
A) VGS es negativo B) VDS es cero C) VGS supera la tensión umbral D) La compuerta se conecta a tierra
A) Conduce mejor que un semiconductor dopado B) Aumenta su resistencia con el campo magnético C) Logra resistividad infinita D) Permite el paso de corriente sin pérdidas
A) La temperatura en que su resistencia es máxima B) La temperatura por encima de la cual no conduce C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La mínima temperatura alcanzable
A) Efecto Kelvin B) Efecto Hall C) Efecto Meissner D) Efecto Seebeck
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Silicio dopado con boro C) Silicio D) Germanio
A) Un transistor bipolar con compuerta B) Un dispositivo de dos terminales que rectifica C) Un transistor JFET de potencia D) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta
A) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido B) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias C) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta D) Todos requieren compuerta para funcionar
A) esta menos B) esta tampoco C) esta sí D) esta no |