A) Conducción debida únicamente a electrones libres B) Conducción debida al balance natural entre electrones y huecos C) Alta concentración de impurezas D) Ausencia completa de portadores de carga
A) GaAs B) InP C) GaN D) Si
A) Una carga neutra B) Un electrón extra C) Un protón extra D) Un electrón menos
A) La energía donde la probabilidad de ocupación electrónica es 50% B) La energía mínima de la banda de valencia C) La energía mínima para que el electrón salga del material D) La energía máxima de la banda de conducción
A) Se cancelan gradientes de concentración B) Se incrementan los portadores libres C) Se difunden electrones y huecos dejando cargas fijas D) La conductividad aumenta instantáneamente
A) El ánodo es más negativo que el cátodo B) La tensión externa reduce la barrera de potencial C) La barrera de potencial aumenta D) El campo eléctrico apunta a la región p
A) La masa efectiva del electrón B) La energía necesaria para promover electrones a la banda de conducción C) Su resistencia térmica D) La movilidad de los huecos
A) Está separado en ambas regiones B) Es irrelevante para la unión C) Se mantiene alineado (constante en todo el sistema) D) Se desplaza sólo hacia la región p
A) La probabilidad de ruptura dieléctrica B) La movilidad de portadores frente al campo eléctrico C) La relación entre resistividad y espesor D) El comportamiento óptico de absorción-dispersión en materiales difusos
A) Base-emisor y base-colector en directa B) Colector-emisor en directa sin corriente de base C) Base-emisor en directa y colector-base en inversa D) Base-emisor en inversa y base-colector en directa
A) La corriente de base B) La tensión de colector únicamente C) La resistencia del encapsulado D) La capacitancia del emisor
A) Ambos funcionan idénticamente B) El MOSFET es controlado por corriente, el JFET por tensión C) El MOSFET tiene compuerta aislada eléctricamente, el JFET no D) El JFET tiene compuerta aislada, el MOSFET no
A) Conducción controlada por corriente B) Necesitar corriente en la compuerta C) Conducción controlada por tensión D) Tener dos uniones p-n
A) VGS es negativo B) VDS es cero C) La compuerta se conecta a tierra D) VGS supera la tensión umbral
A) Conduce mejor que un semiconductor dopado B) Permite el paso de corriente sin pérdidas C) Aumenta su resistencia con el campo magnético D) Logra resistividad infinita
A) La mínima temperatura alcanzable B) La temperatura por encima de la cual no conduce C) La temperatura a partir de la cual aparece el estado superconductor D) La temperatura en que su resistencia es máxima
A) Efecto Meissner B) Efecto Seebeck C) Efecto Hall D) Efecto Kelvin
A) YBa₂Cu₃O₇ (YBCO) B) Germanio C) Silicio D) Silicio dopado con boro
A) Un dispositivo de cuatro capas que se activa con un pulso de compuerta B) Un transistor bipolar con compuerta C) Un transistor JFET de potencia D) Un dispositivo de dos terminales que rectifica
A) Todos requieren compuerta para funcionar B) El diodo bloquea, el JFET controla corriente, el MOSFET controla tensión y el tiristor conmuta en un solo sentido C) Todos controlan corriente pero con distintas ganancias D) El diodo amplifica, el JFET rectifica, el MOSFET oscila y el tiristor conmuta
A) esta menos B) esta sí C) esta tampoco D) esta no |