A) Miejsce wiązania molekularnego. B) Jądro atomowe. C) Podstawowa powtarzająca się jednostka w sieci krystalicznej. D) Elektron walencyjny.
A) Potencjalna bariera dla ruchu elektronów. B) Szerokość wiązania kowalencyjnego. C) Przerwa energetyczna między pasmem walencyjnym a pasmem przewodnictwa. D) Rozmiar sieci krystalicznej.
A) Amorficzny. B) Sześciokątne, ściśle upakowane. C) Sześcian skoncentrowany na ciele. D) Sześcienny o powierzchni skoncentrowanej na twarzy.
A) Materiał o zerowej rezystancji elektrycznej poniżej temperatury krytycznej. B) Materiał o wysokiej przewodności cieplnej. C) Materiał o silnych właściwościach ferromagnetycznych. D) Materiał o wysokiej energii jonizacji.
A) Lepkość. B) Stała dielektryczna. C) Podatność magnetyczna. D) Moduł sprężystości.
A) Zanieczyszczenia mogą zwiększać lub zmniejszać przewodność w zależności od typu. B) Zanieczyszczenia zawsze zmniejszają przewodność. C) Zanieczyszczenia zawsze zwiększają przewodność. D) Zanieczyszczenia nie mają wpływu na przewodność.
A) Prawo Faradaya. B) Model Bohra. C) Prawo Ohma. D) Teoria pasmowa.
A) Geometria planarna powierzchni kryształu. B) Wyższy stan energetyczny systemu. C) Nieregularność w rozmieszczeniu atomów w sieci krystalicznej. D) Ułamkowa masa atomowa. |