A) Miejsce wiązania molekularnego. B) Podstawowa powtarzająca się jednostka w sieci krystalicznej. C) Elektron walencyjny. D) Jądro atomowe.
A) Szerokość wiązania kowalencyjnego. B) Potencjalna bariera dla ruchu elektronów. C) Rozmiar sieci krystalicznej. D) Przerwa energetyczna między pasmem walencyjnym a pasmem przewodnictwa.
A) Amorficzny. B) Sześcienny o powierzchni skoncentrowanej na twarzy. C) Sześcian skoncentrowany na ciele. D) Sześciokątne, ściśle upakowane.
A) Materiał o wysokiej przewodności cieplnej. B) Materiał o wysokiej energii jonizacji. C) Materiał o zerowej rezystancji elektrycznej poniżej temperatury krytycznej. D) Materiał o silnych właściwościach ferromagnetycznych.
A) Moduł sprężystości. B) Podatność magnetyczna. C) Stała dielektryczna. D) Lepkość.
A) Zanieczyszczenia zawsze zmniejszają przewodność. B) Zanieczyszczenia nie mają wpływu na przewodność. C) Zanieczyszczenia mogą zwiększać lub zmniejszać przewodność w zależności od typu. D) Zanieczyszczenia zawsze zwiększają przewodność.
A) Teoria pasmowa. B) Model Bohra. C) Prawo Faradaya. D) Prawo Ohma.
A) Geometria planarna powierzchni kryształu. B) Ułamkowa masa atomowa. C) Nieregularność w rozmieszczeniu atomów w sieci krystalicznej. D) Wyższy stan energetyczny systemu. |